Naukowcy związani z Uniwersytetem Rice'a stworzyli prototypową nieulotną (taką jak w układach flash) pamięć, której elementy mają wymiary poniżej 10 nanometrów.

Według oczekiwań większości producentów pamięci komputerowych empiryczne prawo Moore'a, mówiące, że średnio co dwa lata zwiększa się upakowanie elementów w układzie scalonym, wkrótce może przestać obowiązywać. Do tej pory zakładano, że nie będzie możliwości pokonania bariery 10 nm, zaś miniaturyzacja pamięci flash zatrzyma się na poziomie procesu 20 nm. Okazuje się, iż receptę na ten problem odkryli właśnie naukowcy z Uniwersytetu Rice'a.

Nowa technologia opiera się na tlenku krzemu, który mimo, że należy grona jednych z najbardziej przebadanych substancji w świecie nauki, pokazał że tkwi w nim wielki nieodkryty dotąd potencjał. Między dwoma elektrodami z polikrystalicznego krzemu umieszczono tlenek krzemu, w którym po przepuszczeniu prądu wytworzyła się swoista "wyrwa". Pod wpływem napięcia pomiędzy elektrodami uformował się 5 nm długości łańcuch nanokryształów krzemu. Można nim łatwo manipulować, to jest przerywać i łączyć na nowo. Jak powiedział James Tour, jeden z wynalazców: "Piękno tego rozwiązania tkwi w jego prostocie."

Dwie elektrody (pomarańcz) oraz tlenek krzemu (niebieski).

Co ciekawsze, zaprezentowana pamięć nieulotna ma wszelkie zalety obecnych układów, czyli szybkość (zmiana stanu w mniej niż 100 ns) i wytrzymałość. Ponadto nie przechowuje ona żadnego ładunku, dzięki czemu odczytania jednego "bitu" wystarczą dwa połączenia, a nie - tak jak jest w przypadku pamięci Flash NAND - aż trzy. Jednak najważniejszą cechą jest kompatybilność ze stosowaną obecnie technologią CMOS, co daje nadzieje na szybkie wdrożenie do masowej produkcji.

Pierwszy prototyp ma pojemność 1024 bitów czyli zaledwie 128 bajtów, ale jeżeli nie zawiodą inwestorzy, to w ciągu pięciu lat możemy się spodziewać pierwszych produktów o pojemności dysków twardych. Tworzeniu struktur o dużej gęstości przechowywanych bitów sprzyja fakt, że tego typu układy można rozbudowywać wykorzystując technologię 3D, czyli nakładanie na siebie kolejnych "plastrów" pamięci. Miejmy nadzieję, że tlenek krzemu nie podzieli losu wielu innych "cudownych" materiałów, które miały wstrząsnąć światem elektroniki, ale ich wykorzystanie okazało się nieopłacalne.

Źródło: Rice University, NY Times

Polecamy artykuły:
GeForce GTX 480 vs Radeon 5970 – pojedynek!	Eee Keyboard PC - komputer w klawiaturze	GamesCom 2010: najciekawsze nowości i gry