Samsung z pojemnymi pamięciami DDR3 40 nm

Firma Samsung Electronics poinformowała o swoim najnowszym osiągnięciu, którym jest wyprodukowanie kości pamięci DRAM typu DDR3 o pojemności 4Gb danych wykonanej w 40nm procesie technologicznym.

Nowa kość pamięci charakteryzuje się dobrymi osiągami pracy, według zapewnień producenta pamięć jest w stanie pracować z częstotliwością 1600 MHz na napięciu 1.35 V. Nowa technologia opracowana przez Samsunga pozwala również na bardzo gęsty zapis danych w pamięci.

Samsung Electronics po bardzo dokładnych testach nowej pamięci DDR3 o pojemności 4 Gb, zamierza zastąpić blisko 90% wszystkich typów pamięci produkowanych w swoich fabrykach na nowe kości pamięci DRAM wykonywane w 40 nm procesie technologicznym.
Warto również dodać, iż do tej pory na bazie nowej technologii Samsung zdołał już wyprodukować pamięci typu DDR3 w pojemnościach 8, 16 oraz 32GB.

Źródło: TechConnect Magazine