Zobacz więcej w kategorii: dyski twarde, pamięci | dyski SSD | pamięci | flash
producenci: Intel
Intel wraz z firmą Micron zapowiedziały pierwszą na świecie 25-nanometrową technologię NAND, która umożliwi zwiększenie pojemności pamięci w takich urządzeniach jak smartfony, odtwarzacze MP3 oraz wprowadzenie bardzo wydajnych dysków SSD.
Pamięć NAND flash służy do przechowywania treści w urządzeniach elektroniki użytkowej. Zachowuje informacje nawet po wyłączeniu zasilania. Przejście na niższy wymiar technologiczny przełoży się na dalszy rozwój i nowe zastosowania technologii NAND. Proces 25-nanometrowy to nie tylko najmniejsza technologia NAND, ale najmniejsza technologia półprzewodnikowa na świecie — osiągnięcie, które pozwoli przechowywać więcej muzyki, wideo i innych danych we współczesnych urządzeniach elektronicznych i komputerowych.
25-nanometrowy proces technologiczny opracowany przez IM Flash Technologies (IMFT), spółkę firm Intel i Micron, pozwala uzyskać 8 gigabajtów (GB) pamięci w pojedynczym urządzeniu NAND, zapewniaja więc więcej miejsca na dane w niewielkich gadżetach konsumenckich. Pamięć mierzy zaledwie 167 mm2 — mieści się w otworze płyty CD, a mimo to zawiera 10 razy więcej danych (standardowa płyta CD ma pojemność 700 megabajtów).

25nm IMFT 2-bit MLC NAND Flash, 8GB, 167mm2
Dzięki badaniom pamięci NAND firmy Intel i Micron podwajają gęstość NAND mniej więcej co 18 miesięcy, co prowadzi do tańszych, wydajniejszych i pojemniejszych rozwiązań. Intel i Micron założyły IMFT w 2006 roku, zaczynając produkcję od procesu 50-nanometrowego, po czym w 2008 roku przeszły na technologię 34-nanometrową. Rozpoczęcie produkcji w procesie 25-nanometrowym oznacza, że obie firmy jeszcze bardziej dystansują konkurentów, wprowadzając najmniejszą litografię półprzewodnikową, jaka jest dostępna w branży.
25-nanometrowe urządzenie NAND o pojemności 8 GB jest już dostępne w postaci próbek inżynierskich i ma wejść do masowej produkcji w drugim kwartale 2010 roku. Oferuje najwyższą gęstość pamięci w pojedynczej kości multi-level cell (MLC) z dwoma bitami na komórkę i mieści się w standardowej obudowie thin small-outline package (TSOP). Aby zwiększyć pojemność pamięci, można w jednej obudowie ułożyć wiele urządzeń 8 GB jedno na drugim.
Nowe 8-gigabajtowe urządzenie zmniejsza liczbę układów o 50 procent w porównaniu z poprzednimi generacjami technologicznymi, co przekłada się na mniejsze, bardziej zagęszczone konstrukcje i oszczędność kosztów. Na przykład dysk SSD o pojemności 256 GB można teraz zbudować z 32 takich urządzeń (poprzednio 64), w smartfonie o pojemności 32 GB wystarczy zastosować cztery, a w karcie pamięci o pojemności 16 GB — zaledwie dwa.
Źródło: Intel, Micron
Sukces spory, ale skoro osiągnęliśmy kres możliwości przy 25nm to co będzie dalej...?
Ale to jest wymiar - jednostka długości, nie dostrzegasz tego? Długość/szerokość (zależy jak patrzeć po prostu krótszy wymiar) tranzystora komórki. Nie składa się on z pojedyńczych atomów tylko z szeregu.
BTW - atom krzemu ma "wielkość" 0,24nm, więc jeszcze sporo zostało.
Tylko zauważ, że tranzystory nie są zbudowane z osobnych atomów tylko z kryształów gdzie najprostsza komórka elementarna składa się z 8 atomów. Odległości między atomami czy też komórkami są o wiele większe niż te Twoje "magiczne" 0,24. Dodatkowo zauważ, że taka bramka w tranzystorze nie składa się tylko z jednego elementu.
Wydaje mi się że wartość 25nm jest już raczej wartością krańcową, którą można wyżyłować może o jeszcze pojedyńcze 1nm.
A mi się wydaje że lepiej jest użyć najpopularniejszej wyszukiwarki i dowiedzieć się że najprawdopodobniej ten kres to 11 nm (na dzisiejszy stan wiedzy) niż wypisywać banialuki.
Poprzyj tą wypowiedź jakimś artykułem z pisma naukowego z listy filadelfijskiej. Jeżeli znajdziesz w google, że białe jest czarne to też to przyjmiesz jako pewnik.
http://www.webcitation.org/5hjItyFjG
Warto nauczyć się "obsługiwać google" nim zacznie się wymachiwać listą filadelfijską.
"we believe we can" - cytat z artykułu
Czytaj ze zrozumieniem. Ja potrzebuje dowodów a nie wierzeń.
A ja wierzę w Świętego Mikołaja...
Wymachuję tą listą, ponieważ artykuły z tych czasopism mają jakąś rzeczywistą wartość naukową. Miałem już styczność z wieloma czasopismami i serwisami internetowymi pseudo naukowymi.
Sam czytaj ze zrozumieniem, po pierwsze napisałem "dzisiejszy stan wiedzy" nie techniki, po drugie to chyba miałeś kontakt z serwisami wyłącznie pseudonaukowymi jeśli opinię gości z MIT uważasz za czcze gadanie. Wg Ciebie kolesie z Intela i Nvidii też nie wiedzą o czym gadają? A jak tak kochasz listę filadelfijską to pokaż z niej publikację że 25nm to kres, bo póki co to przedstawiłeś "wydaje mi się", czyli nic.
Tak jak wspomniałeś są to opinie a nie suche fakty. Do polemiki z Tobą raczej zmusiło mnie stwierdzenie, że wielkość krzemu wynosi 0,24nm i zasugerowałeś jakoby tym zdaniem, że takiej wielkości może być technologia tworzenia bramek.
Na dzień dzisiejszy jest to 20nm z kawałkiem i nic tego w najbliższym dniach nie zmieni. Koszt technologii wykonania mniejszych bramek może być zbyt kosztowny. Na przeszkodzie stoją między innymi prąd upływu czy prędkość światła. Nigdy nie traktowałem ludzi z MIT jako ludzi nieomylnych.
No właśnie nie - o 0,24nm pisał Silver, ja wyraźnie napisałem iż większość czołowych ludzi z branży określa granicę możliwości fotolitografii w okolicach 10nm - najczęściej podawaną wartością jest 11nm jako układy które jeszcze zostaną wyprodukowane. Prawo Moore'a wyhamuje to oczywiste - w każdej branży pod koniec doskonalenia możliwości danej technologii następuje spowolnienie. Co do prądu upływu - po to są bramki high-k, zaś co prędkość światła ma do wymiaru technologicznego (w szczególności do takiego procesu jak kolejne przejscia z 25 na 11nm) - nie wiem, napisz. Moim zdaniem tu akurat jest dokładnie odwrotnie - przez to że mniejszy wymiar technologiczny daje mniejszy układ w związku ze skończoną prędkością światła - im mniejszy układ tym lepiej.
Co do prędkości światła może zapędziłem się za bardzo - przepraszam. Jeżeli chodzi o prąd upływu to nadal nie jestem pewny czy bramki HK (z materiału o wysokiej stałej dielektrycznej), które o ile pamiętam powstały przy zmianie procesu 90nm na mniejszy i wykorzystywane są do dzisiaj (w jakiejś tam kolejnej generacji) będą wystarczająco dobrze chronić przed prądem upływu dla technologi 10nm. Tylko krowy zdania nie zmieniają więc jeżeli okażę się, że możliwe będzie produkowanie tranzystorów poniżej 10nm nie powieszę się i zdanie swoje zmienię.
PS Nie znam się na tyle dobrze na budowie tranzystorów, ponieważ zawodowo zajmuję się materiałami wykorzystywanymi w elektrotechnice a nie w elektronice.
Na dzień dzisiejszy jest to 22nm, które i tak jeszcze nie trafiło do sprzedaży. :)
Bardzo ładny artykuł propagandowy (bo reklamą bym tego nie nazwał). Jedyne, co wyniosłem z jego lektury to fakt, że możemy się spodziewać większych pamięci Flash / SSD za pół roku. To raczej nieszczególnie odkrywcze.
W moim (obu) Kingstonie SSD 40GB są kostki wykonane w procesie 34nm i też mają po 8GB, o co tu chodzi? Nic się nie zmieniło?
Zajmują większą powierzchnię.
Żartujes kolego? Skoro chip w technologii 25nm mierzy 167mm2 to w 34nm musiałby mieć ze 230mm2 - byłby niewiele mniejszy od samej obudowy układu;)
Przeprowadziłem małe dochodzenie i okazało sie, że 8GB kości 34nm wykonane są z dwóch sklejonych chipów 32Gbit. Powierzchnia każdego chipu 34nm to 172mm2, więc gotowego układu też 172mm2 tyle, że jest dwa razy grubszy niż normalnie....
To nie jest żadny kres możliwości. Czytałem kiedyś tam na nvision.pl że naukowcy juz inna technologie wynalezli
W dziale aktualności każdy z użytkowników serwisu może przygotować własną wiadomość,która po akceptacji redaktorów pojawi się na stronie.
|
Intel 2.5" SSD X25-M MLC 160 GB (Serial ATA) Dysk 2.5" do notebooków interfejs: Serial ATA, USB 2,0 średni czas ... 1759,-
z VAT
|
Intel 2.5" SSD X25-M MLC 80 GB (Serial ATA) BOX Dysk 2.5" do notebooków interfejs: Serial ATA, USB 2,0 średni czas ... 899,-
z VAT
|
Standard 128M X 64 Non-ECC 1066MHz 240-pin Unbuffered DIMM (SDRAM-DDR3, 1.5V, ... 199,-
z VAT
|