Toshiba i SanDisk zrobią 19 nm pamięci Flash

Ostatnio coraz więcej słychać o róznorodnych aliansach, które mają na celu wdrożenie nowoczesnych technologii. Tym razem mowa o Toshibie i SanDisku, które wprowadzają 19 nm proces produkcji pamięci NAND Flash.

W elektronice stale obserwujemy wzrost stopnia zaawansowania oraz postępującą miniaturyzację, systematycznie słyszymy o rozpoczęciu produkcji chipów w coraz to mniejszym procesie. Jeszcze słychać echa braw dla spółki joint venture pomiędzy Intel i Micron Technology za ogłoszenie w zeszłym tygodniu 20 nm procesu produkcyjnego pamięci NAND Flash. Na scenie pojawiły się już Toshiba oraz SanDisk z informacją o planach wdrożenia do masowej produkcji w drugiej połowie bieżącego roku 19 nm procesu produkcyjnego. Produkcja pierwszych układów planowana jest już na koniec kwietnia.

Warto przeczytać:
	Rynek pamięci Flash mocno w górę dzięki tabletom

Będą to 64gigabitowe (8 GB) chipy pamięci flash typu MLC (2 bity na komórkę), a ich masowa produkcja jest zaplanowana na drugą połowę tego roku. W dalszej kolejności SanDisk planuje rozpoczęcie wytwarzania układów wykorzystujących 3 bity na komórkę, a co za tym idzie pojemniejszych. 

Toshiba zapowiada produkcję 128 GB modułów pamięci dla urządzeń mobilnych - smartfonów i tabletów - poprzez połączenie 16 chipów o pojemności 64 gigabitów. Przy okazji firma podkreśla, że to właśnie rynek tych produktów jest głównym bodźcem do konstruowania coraz nowocześniejszych pamięci NAND. Zmniejszanie rozmiarów służy obecnie zwiększeniu pojemności i wydajności, nie zmniejszeniu poboru prądu. Nowe chipy są wyposażone w opisywaną przez nas technologię Toggle DDR2.0 dla zwiększenia szybkości przepływu danych i korzystają z architektury All-Bit-Line.
 

Źródło: TechSpot

Polecamy artykuły:
Obudowy komputerowe - poradnik jak wybrać	Connectify - stwórz sieć bez routera	TOP-10 Monitory