iPhone 6S może zostać wyposażony w 2 GB pamięci RAM LPDDR4

Zanosi się na to, że wraz z początkiem nowego roku zacznie się zdecydowanie większa liczba doniesień na temat kolejnych smartfonów Apple. Najnowsze z nich wyglądają bardzo interesująco.

Azjatyckie źródła sugerują, że względem poprzedników możemy doczekać się przynajmniej jednej ważnej zmiany. iPhone 6S miałby zostać bowiem wyposażony w 2 GB pamięci RAM i to od razu LPDDR4. W tym miejscu warto zaznaczyć, iż iPhone 6 oraz iPhone 6 Plus oferują 1 GB pamięci RAM, ale LPDDR3.

Apple dość długo zastanawiało się podobno nad podjęciem powyższej decyzji. Pierwszy problem to sporo wyższe koszty nowych pamięci, a drugi możliwe kłopoty z wyprodukowaniem wystarczającej ilości tych układów.

Producent zadbać miał jednak o wszystko. Pieniądze się znalazły, a pamięci mają być już produkowane i to aż przez 3 firmy - Micron, Hynix oraz Samsung.

Nie trzeba dodawać, że dałoby to znaczny wzrost wydajności, zwłaszcza, że najprawdopodobniej pojawi się również nowy procesor. Na tę chwilę mowa jednak o informacjach nieoficjalnych.

Źródło: phonearena, techz