SSD

Samsung przedstawia nośniki Z-SSD - odpowiedź na Intel/Micron 3D XPoint

opublikowano przez Paweł Maziarz w dniu 2018-01-31

SZ985 to pierwsze nośniki korzystające z technologii Z-SSD. Docelowo znajdą zastosowanie na rynku profesjonalnym - wspomogą one rozwój sztucznej inteligencji, Internetu Rzeczy i segmentu wysokowydajnych obliczeń HPC.

Jakiś czas temu firmy Intel i Micron zaprezentowały nowoczesne pamięci 3D Xpoint, które zrewolucjonizowały segment profesjonalnych nośników SSD. Koncern Samsung nie zamierza jednak tak łatwo odpuszczać w tej części rynku i oficjalnie zaprezentował swoje rozwiązanie – nośniki SZ985, które korzystają z technologii Z-SSD.

Modele SZ985 mają postać karty AiC pod PCI-Express 3.0 x4 i występują w dwóch wersjach pojemnościowych: 240 GB i 800 GB. Na pokładzie znalazł się autorski kontroler, kości pamięci Z-NAND oraz pamięć podręczna LPDDR4.

Samsung SZ985

Maksymalne transfery sięgają 3200/3200 MB/s, natomiast liczba operacji wejścia/wyjścia dochodzi do 750 000/170 000 IOPS. To jednak nie wszystko, bo nośniki oferują też bardzo krótki czas dostępu – ten wynosi zaledwie 12 – 20 µs. Dla porównania dotychczasowy flagowy produkt producenta (model PM1725a) osiąga tutaj aż 90 µs.

Nowe pamięci cechuje również wysoka wytrzymałość. Dla pojemniejszej wersji producent deklaruje współczynnik TBW na poziomie 40 PB, co pozwala na codzienne zapisywanie 30-krotności pojemności dysku przez 5 lat (tyle trwa udzielana gwarancja).

Samsung Z-NAND

Nośniki Samsung SZ985 będą prezentowane na targach ISSCC 2018 w San Francisco, ale ich ceny jeszcze nie zostały ujawnione. Wiadomo jednak, że producent już pracuje nad drugą generacją pamięci Z-NAND (mają one cechować się większymi opóźnieniami, ale za to będą znacznie tańsze w produkcji).

Źródło: Samsung, ComputerBase

marketplace

Komentarze

35
Zaloguj się, żeby skomentować
avatar
Dodaj
Komentowanie dostępne jest tylko dla zarejestrowanych użytkowników serwisu.
  • avatar
    SSD SATA III, SSD M.2 NVMe... Intel/Micron 3D XPoint, Samsung Z-SSD...
    Super, że dyski tak prężnie się rozwijają, ale mnie od jakiegoś czasu zastanawia jedno. Dlaczego na rynku konsumenckim od ponad 15 lat na płytach głównych montowana jest karta sieciowa o prędkości tylko 1Gb/s? To samo jest w serwerach NAS i routerach do użytku domowego. To jakaś zmowa firm? Nikt nie chce zarobić na upowszechnieniu sieci 10Gb/s?
    Sieci komórkowe prężnie się rozwijają, Internet o prędkości 500 Mb/s można założyć już na wioskach, sieci Wi-Fi się rozwijają, dyski się rozwijają, a sieć LAN... stoi od 15 lat w miejscu z perspektywy Kowalskiego. Mogę się mylić, ale wydaje mi się, że na dzień dzisiejszy trudno byłoby kupić dysk dla którego sieć LAN 1Gb/s nie byłaby wąskim gardłem. Zatem każdy, kto posiada serwer NAS, potrzebowałby szybszej sieci LAN, a niestety jest skazany na prędkości z przed ponad 15 lat :/.
    Zaloguj się
  • avatar
    czyli ponad 50 tys cykli P/E no ciekawie ciekawie.

    "Dla pojemniejszej wersji producent deklaruje współczynnik TBW na poziomie 40 PB, co pozwala na codzienne zapisywanie 30-krotności pojemności dysku przez 5 lat (tyle trwa udzielana gwarancja)."

    W spec samsunga znalazłem tylko "DWPD 30" więc:
    30*365,2422*5 = 54786,33 P/E
    54786,33*800/1024/1024 = 41,798652649 PB

    Co patrzę na serwis to inne TBW podają 40, 42, 43,8, ehh to nie są trudne działania.
    Zaloguj się
  • avatar
    Bardzo Mnie ciekawi czy jest ktoś jeszcze oprócz SAMSUNGA kto dopracowuje technologię NAND FLASH do perfekcji tak jak robi to właśnie ten Koreański Moloch.
    Mimo wiadomych atutów zastosowania RAM nieulotnego jakim jest OPTANE od INTELA czyli kości pamięci 3d Xpoint razem we współpracy z MICRON okazuje się ,że NAND FLASH w wykonaniu SAMSUNGA wcale nie musi iść na porażkę.
    Ze wstępnych danych wynika ,że Z-SSD od tej firmy nie będzie miało sobie równych na chwilę obecną w odczycie jeżeli chodzi o ilość operacji na sekundę.
    Opóźnienia także nie są aż tak mocno z tyłu za OPTANE.
    Jak już tylko się pojawi to Z-SSD fajnie będzie popatrzeć na testy te praktyczne łącznie z testowaniem realnej żywotności ich ale zwracając uwagę na parametr żywotności będzie trzeba poczekać przynajmniej kilkanaście godzin zapisując ten nośnik z maksymalnym możliwym transferem czyli 3.2GB/s.
    Zaloguj się
  • avatar
    Nikt nie zwraca uwagi ,że różnica między TBW INTELA w przypadku OPTANE i TBW SAMSUNGA w przypadku SSD jest taka ,że po przekroczeniu TBW u SAMSUNGA może on jeszcze kilkakrotnie przekroczyć tą wartość w zależności na jaki egzemplarz trafiliśmy a w przypadku OPTANE jest tak ,że czasami nośnik osiągając 20% TBW wydajność jego spada do 5% to sobie przeliczcie ,że nawet przypadku kopiowania nawet jak jest on sprawny będziecie robić to dłużej niż na HDD nowych.
    Zaloguj się
    -1
  • avatar
    i co z tego, wyłącz kompa z takim ssd, wróć za miesiąć i włącz kompa, nie będziesz miał danych bo ładunki znikną z dysku po takim czasie nie "doładowywania" prądem.
    Zaloguj się
    -4
  • avatar
    Paweł, ale namieszałeś i to zupełnie bez sensu.
    Z danych producenta, TBW wynosi 40PB, a pojemność nośnika to 800GB. Teraz trudne działanie matematyczne, tj. dzielenie: 1PB=10^12B , 1GB=10^9B, więc:

    40*10^12 / 800*10^9 = 50 , co oznacza że producent gwarantuje tu marne 50 zapisów po całości na dysku, i to jest koniec gwarancji. Bo w gwarancji masz określone który parametr szybciej się skończy, czy te 50 zapisów, czy 5 lat.

    Dla optane to jest żadna konkurencja, bo optane wytrzymują znacznie więcej. Dodam, że typowy dysk TLC wg. deklaracji producenta wytrzymuje od 400 do 600 gwarantowanych przez producenta zapisów, co też jest tragicznie małą wartością. Dla dysków HDD ten parametr spokojnie można zdefiniować na wielkość 10000 zapisów. Ja tego nie kupuję.
    Zaloguj się
    -5
  • avatar
    Wkrótce się okaże czy to 'Z' znaczy Zjeba... czy Zajebi..... :-D
  • avatar
    Patrząc po parametrach to całe to Z-NAND to jest po prostu 3D SLC (parametry SLC, pojemność jak w wielowarstwowym 3D).