Na topie

Samsung chwali się nośnikami Z-SSD - konkurencja dla Intel 3D X-Point

Autor:

więcej artykułów ze strefy:
SSD

Kategoria: Komputery Podzespoły SSD Producenci: Samsung

Dyski Z-SSD mają zastąpić modele bazujące na protokole NVMe. Pierwsze zapowiedzi są obiecujące, ale na premierę będziemy musieli jeszcze poczekać.

Samsung chwali się nośnikami Z-SSD - konkurencja dla Intel 3D X-Point

A A

Samsung nie odpuszcza w segmencie profesjonalnych nośników półprzewodnikowych i przygotowuje się do premiery konstrukcji opartych o technologię Z-SSD. Czym koreański gigant planuje konkurować z technologią Intel/Micron 3D X-Point?

W ubiegłym miesiącu, podczas konferencji Flash Memory Summit w Santa Clara, ujawniono pierwsze szczegóły odnośnie nośnika Samsung SZ985 – model ten bazuje na pamięci Z-NAND i wykorzystuje interfejs PCIe 3.0 x4, co przekłada się na transfery sięgające 3,2 GB/s oraz liczbę operacji wejścia/wyjścia dochodzącą do 750 000 IOPS (odczyt) lub 170 000 IOPS (zapis).

Samsung Z-SSD SZ985

Głównym atutem nośnika jest jednak szybki czas reakcji – przy losowym odczycie jest to 12-20 μs, natomiast przy losowym zapisie 16 μs. Parametry te mają duże znaczenie w profesjonalnych zastosowaniach, gdzie prowadzone są operacje na potężnych zbiorach danych.

Producent chwali się również wysoką wytrzymałością pamięci (podobno jest on w stanie codziennie zapisywać 30-krotność swojej pojemności), a także efektywnością w odniesieniu do oferowanej wydajności.

Jak informuje serwis Business Korea, masowa produkcja nośników na bazie technologii Samsung Z-SSD ma ruszyć w przyszłym roku. Jak na razie planowana jest tylko wersja o pojemności 800 GB (taka też w wersji inżynieryjnej trafiła do pierwszych partnerów).

Źródło: Samsung, Business Korea

Odsłon: 3423 Skomentuj newsa
Komentarze

5

Udostępnij
  1. gormar
    Oceń komentarz:

    1    

    Opublikowano: 2017-09-13 17:49

    Po nazwie i opisach kości na tym renderingu podejrzewam, że będzie to zastosowanie techniki Z-cache w nośnikach SSD. Jakieś 32GB RAM powinno wystarczyć do efektywnego obsłużenia 800GB pamięci Flash. Do tej pory stosowano dyski SSD, aby stanowiły bufor dla macierzy dysków HDD. Teraz naszła pora na DRAM i NAND. Tylko nie mam pewności, czy chcą zrezygnować z protokołu NVMe i zastosować swój, czy po prostu porównują się do aktualnych nośników tego typu.

    Skomentuj

  2. sebos80
    Oceń komentarz:

    1    

    Opublikowano: 2017-09-13 19:34

    Raz zapisze 30-krotność swojej pojemności i koniec żywota. :P

    Skomentuj

  3. Gatts-25
    Oceń komentarz:

    -1    

    Opublikowano: 2017-09-13 19:53

    Ciekawe jaka cena będzie ale patrząc na ten filmik INTEL nie będzie miał szans jak także obniżać cenę swojego rozwiązania bo na chwilę obecną Z-SSD prezentuje się lepiej od ich rozwiązania a największy plus ,że RAID NVME będzie dostępny dla każdego kto chce najszybszego rozwiązania.
    Co jak co ale o SAMSUNGU będzie jeszcze głośniej jak zapowiedzieli zastosowanie EUV w 7nm już w drugiej połowie 2018 roku dla urządzeń z niskim poborem energii elektrycznej.

    Skomentuj

  4. wizdar
    Oceń komentarz:

    0    

    Opublikowano: 2017-09-13 20:20

    Ale beznadziejnie zrobiona reklama...

    Skomentuj

  5. siwydym
    Oceń komentarz:

    1    

    Opublikowano: 2017-09-14 03:06

    ale takie czasy dostępu to mam w tej chwili na 960PRO,
    więc nie za bardzo wiem o jaki atut chodzi

    Skomentuj

Dodaj komentarz

Przy komentowaniu prosimy o przestrzeganie netykiety i regulaminu.

Aby dodać komentarz musisz być zalogowany!