Już na 2013 rok planowane jest wprowadzenia na rynek pierwszych pamięci wykorzystujących memrystory, które znajdą zastosowanie w dyskach SSD i pamięciach flash.Na samym początku warto sobie przypomnieć, czym jest memrystor. Jest to jeden z podstawowych podzespołów elektronicznych, który po raz pierwszy został skonstruowany w laboratoriach HP w 2008 roku. Element ten można określić rezystorem, który jest w stanie zmieniać swoją...

Dotarliśmy do prognoz analityków, które zakładają, że pamięci DDR4 pojawią się na rynku w 2014 roku, a rok później obejmą ponad połowę rynku układów DRAM. O pamięciach DDR4 stało się głośno po sierpniowej konferencji Mem Con w Tokio, na której przedstawiono dużo informacjo odnośnie nowych modułów. Tuż po tych teoretycznych informacjach, przyszła pora na praktyczne zajęcie się nowymi pamięciami. Na początku...

Hynix ogłosił, że wyprodukował już pierwsze, testowe 2 Gb kości pamięci DDR4 oraz 2 GB moduły pamięci DDR4 SO-DIMM o taktowaniu 2400 MHz. Na początku bieżącego roku pisaliśmy o pierwszych modułach pamięci DDR4 wyprodukowanych przez Samsunga. Tym razem o swoich dokonaniach z pamięciami DDR4 informuje firma Hynix - także mająca duże doświadczenie w produkcji pamięci RAM. Warto przeczytać:...

Prace nad nowym rodzajem pamięci RAM wykorzystującym memrystory nabierają tempa. Współpracę z HP, który stworzył dwa lata temu pierwszy memrystor, nawiązał znany na rynku pamięci koncern Hynix. Technologia memrystorów to jedna z możliwych ścieżek jakimi może podążyć technologia produkcji podzespołów komputerowych. Dzięki memrystorom będzie można nadal zachować prawdziwość prawa Moore'a (podwajanie mocy obliczeniowej co...

Południowokoreańska firma Hynix zajmująca się głownie produkcją pamięci flash, w wydanym oświadczeniu poinformowała o rozpoczęciu masowej produkcji pierwszych 64Gb (gigabitowych) kości NAND Flash wykonanych w 20 nm procesie technologicznym. Firma Hynix opracowała nową technologię w lutym bieżącego roku, od tego czasu cały czas trwały prace nad dostosowaniem jednego z zakładów produkcyjnych firmy do przejścia na niższy proces technologiczny....

Mniej niż dziewięć miesięcy po premierze chipów 1Gb wykonanych w procesie 54 nm Hynix przedstawił energooszczędne kości 2Gb DRAM 40 nm. Układy pracują z napięciem 1,2 V oraz z przepustowością 4.26 GB/s. Chipy będą przeznaczone do takich urządzeń jak smartphone'y, tablety czy smartbooki. Kości Hynix 2Gb LP DDR2 DRAM zostaną wkrótce dokładniej zaprezentowane. Ich premierę zaplanowano przed końcem pierwszego półrocza 2010...

Firma Hynix poinformowała o wyprodukowaniu pierwszych 2-gigabitowych układów pamięci DRAM typu GDDR5. Nowe pamięci zostały wytworzone w 40 nm procesie technologicznym, a ich przeznaczeniem będzie zastosowanie w kartach graficznych nowej generacji. Stosowane dotychczas w kartach graficznych pamięci typu GDDR5 były produkowane w 50 nm procesie technologicznym, który stanowił pewną barierę nie do przebicia, zarówno wydajnościową...

Południowokoreański producent pamięci Hynix Semiconductor ogłosił, że z myślą o rynku urządzeń przenośnych wprowadza nowe mobilne kości DDR SDRAM o pojemności 4Gb. Układy wspierające platformę Intel Moorestown MID (Mobile Internet Device), dostępne są w dwóch wersjach : MCP (Multi Chip Package) oraz PoP (Package on Package), pracują z szybkością 400 Mbit/s i mogą przetworzyć do 1,6 GB danych na sekundę - 32-bitowy interfejs pamięci I/O. 4-gigabitowe...

W fabrykach firmy Hynix rozpoczęła się produkcja pierwszych na świecie nowych kości pamięci RAM DDR2 1GB wykonanych w technologii 54nm. Pamięci pobierają około 50% mniej energii od swoich poprzedników DDR i są o 30% szybsze - w porównani z standardowymi pamięciami. Nowe układy pracują z maksymalną częstotliwością 1066 MHz. Produkt będzie wykorzystywany w urządzeniach mobilnych takich jak MID, netbooki czy smartfony. Pamięci powinny trafić...