Pojemność: 120 GB | Szybkość odczytu: 500 MB/s | Szybkość zapisu: 360 MB/s
GOODRAM C100 120 GB
4.6 na 10 pkt.
Ocena benchmark.pl
  • 4/5

Pojemność: 512 GB | Szybkość odczytu: 2600 MB/s | Szybkość zapisu: 1600 MB/s
Toshiba OCZ RD400 512 GB
7.2 na 10 pkt.
Ocena benchmark.pl
  • 4,3/5

Porównywarka

Ocena benchmark.pl

Oceny cząstkowe w poszczególnych kategoriach oraz ocena końcowa

Wydajność w CrystalDiskMark

GOODRAM C100 120 GB
2.8
Toshiba OCZ RD400 512 GB
5.3
Seagate 600 SSD 240 GB
2.7
SanDisk SSD Plus 480 GB
3.2

Wydajność w AS SSD Benchmark

GOODRAM C100 120 GB
2.8
Toshiba OCZ RD400 512 GB
7.2
Seagate 600 SSD 240 GB
3.1
SanDisk SSD Plus 480 GB
3.3

Wydajność w PCMark8

GOODRAM C100 120 GB
n/d
Toshiba OCZ RD400 512 GB
n/d
Seagate 600 SSD 240 GB
n/d
SanDisk SSD Plus 480 GB
n/d

SSD: testy rzeczywiste

GOODRAM C100 120 GB
n/d
Toshiba OCZ RD400 512 GB
n/d
Seagate 600 SSD 240 GB
n/d
SanDisk SSD Plus 480 GB
n/d

GOODRAM C100 120 GBvsToshiba OCZ RD400 512 GB : Wynik ogólny

Cechy szczególne

Wydajność urządzenia według najważniejszych wskaźników

AS SSD – wynik ogólny

GOODRAM C100 120 GB
741
Toshiba OCZ RD400 512 GB
2531
Seagate 600 SSD 240 GB
1050
SanDisk SSD Plus 480 GB
1055

Różnice

Zalety jednego urządzenia nad drugim

GOODRAM C100 120 GB

Dlaczego warto wybrać:
GOODRAM C100 120 GB

Wygląda na to, że nie ma powodów, aby wybierać GOODRAM C100 120 GB.
Toshiba OCZ RD400 512 GB

Dlaczego warto wybrać:
Toshiba OCZ RD400 512 GB

  • Pamięć podręczna dysku
    512 MB vs 256 MB
    100% więcej
  • Pojemność
    512 GB vs 120 GB
    327% więcej
  • Szybkość zapisu
    1600 MB/s vs 360 MB/s
    344% więcej
  • Szybkość odczytu
    2600 MB/s vs 500 MB/s
    420% więcej
  • Deklarowany IOPS – odczyt
    190000 vs 53000
    258% więcej
  • Deklarowany IOPS – zapis
    120000 vs 70000
    71% więcej

Specyfikacja

Szczegółowa lista cech i parametrów urządzenia

GOODRAM C100 120 GB vs Toshiba OCZ RD400 512 GB

Deklarowana wydajność

Deklarowany IOPS – zapis
70000
Deklarowany IOPS – odczyt
53000
Szybkość odczytu
500 MB/s
Szybkość zapisu
360 MB/s

Deklarowana wydajność

Deklarowany IOPS – zapis
120000
Deklarowany IOPS – odczyt
190000
Szybkość odczytu
2600 MB/s
Szybkość zapisu
1600 MB/s

Informacje ogólne o SSD

Pojemność
120 GB
Interfejs dysku
SATA III
Format dysku
2.5

Informacje ogólne o SSD

Pojemność
512 GB
Interfejs dysku
PCI-Express 3.0 x4 / NVM-Express 1.1b
Format dysku
M.2 2280

Parametry SSD

Kości pamięci
Toshiba 19 nm MLC NAND
Pamięć podręczna dysku
256 MB
Typ pamięci podręcznej ssd
DDR3
Kontroler
Phison PS3108

Parametry SSD

Kości pamięci
Toshiba 15 nm MLC NAND
Pamięć podręczna dysku
512 MB
Typ pamięci podręcznej ssd
Samsung LPDDR3-1600
Kontroler
Toshiba TC58NCP070GSB

Technologie i kultura SSD

Inne cechy dysku
TRIM, S.M.A.R.T., Garbage Collection

Technologie i kultura SSD

Inne cechy dysku
TRIM, S.M.A.R.T., Idle Time Garbage Collection