Pojemność: 240 GB | Szybkość odczytu: 500 MB/s | Szybkość zapisu: 320 MB/s
GOODRAM C50 240 GB
4.3 na 10 pkt.
Ocena benchmark.pl
  • 4/5

Pojemność: 512 GB | Szybkość odczytu: 2600 MB/s | Szybkość zapisu: 1600 MB/s
Toshiba OCZ RD400 512 GB
7.2 na 10 pkt.
Ocena benchmark.pl
  • 4,3/5

Porównywarka

Ocena benchmark.pl

Oceny cząstkowe w poszczególnych kategoriach oraz ocena końcowa

Wydajność w CrystalDiskMark

GOODRAM C50 240 GB
2.2
Toshiba OCZ RD400 512 GB
5.3
OCZ Vector 150 240 GB
2.4
SanDisk SSD Plus 480 GB
3.2

Wydajność w AS SSD Benchmark

GOODRAM C50 240 GB
2.6
Toshiba OCZ RD400 512 GB
7.2
OCZ Vector 150 240 GB
3.8
SanDisk SSD Plus 480 GB
3.3

Wydajność w PCMark8

GOODRAM C50 240 GB
n/d
Toshiba OCZ RD400 512 GB
n/d
OCZ Vector 150 240 GB
n/d
SanDisk SSD Plus 480 GB
n/d

SSD: testy rzeczywiste

GOODRAM C50 240 GB
n/d
Toshiba OCZ RD400 512 GB
n/d
OCZ Vector 150 240 GB
n/d
SanDisk SSD Plus 480 GB
n/d

GOODRAM C50 240 GBvsToshiba OCZ RD400 512 GB : Wynik ogólny

Cechy szczególne

Wydajność urządzenia według najważniejszych wskaźników

AS SSD – wynik ogólny

GOODRAM C50 240 GB
677
Toshiba OCZ RD400 512 GB
2531
OCZ Vector 150 240 GB
1102
SanDisk SSD Plus 480 GB
1055

Różnice

Zalety jednego urządzenia nad drugim

GOODRAM C50 240 GB

Dlaczego warto wybrać:
GOODRAM C50 240 GB

  • Pobór energii (aktywność)
    0.35 W vs 6 W
    94% mniej
Toshiba OCZ RD400 512 GB

Dlaczego warto wybrać:
Toshiba OCZ RD400 512 GB

  • Pojemność
    512 GB vs 240 GB
    113% więcej
  • Szybkość zapisu
    1600 MB/s vs 320 MB/s
    400% więcej
  • Szybkość odczytu
    2600 MB/s vs 500 MB/s
    420% więcej
  • Deklarowany IOPS – odczyt
    190000 vs 37000
    414% więcej
  • Deklarowany IOPS – zapis
    120000 vs 51000
    135% więcej

Specyfikacja

Szczegółowa lista cech i parametrów urządzenia

GOODRAM C50 240 GB vs Toshiba OCZ RD400 512 GB

Deklarowana wydajność

Deklarowany IOPS – zapis
51000
Deklarowany IOPS – odczyt
37000
Szybkość odczytu
500 MB/s
Szybkość zapisu
320 MB/s

Deklarowana wydajność

Deklarowany IOPS – zapis
120000
Deklarowany IOPS – odczyt
190000
Szybkość odczytu
2600 MB/s
Szybkość zapisu
1600 MB/s

Informacje ogólne o SSD

Pojemność
240 GB
Interfejs dysku
SATA III
Format dysku
2.5

Informacje ogólne o SSD

Pojemność
512 GB
Interfejs dysku
PCI-Express 3.0 x4 / NVM-Express 1.1b
Format dysku
M.2 2280

Parametry SSD

Kości pamięci
Toshiba 24 nm MLC NAND
Pamięć podręczna dysku
512 MB
Typ pamięci podręcznej ssd
DDR3
Kontroler
Phison PS3108

Parametry SSD

Kości pamięci
Toshiba 15 nm MLC NAND
Pamięć podręczna dysku
512 MB
Typ pamięci podręcznej ssd
Samsung LPDDR3-1600
Kontroler
Toshiba TC58NCP070GSB

Technologie i kultura SSD

Pobór energii (aktywność)
0.35 W
Inne cechy dysku
TRIM, S.M.A.R.T., Garbage Collection

Technologie i kultura SSD

Pobór energii (aktywność)
6 W
Inne cechy dysku
TRIM, S.M.A.R.T., Idle Time Garbage Collection