Pojemność: 400 GB | Szybkość odczytu: 2200 MB/s | Szybkość zapisu: 900 MB/s
Intel SSD 750 400 GB
8.3 na 10 pkt.
Ocena benchmark.pl
  • 4,8/5

Pojemność: 512 GB | Szybkość odczytu: 2600 MB/s | Szybkość zapisu: 1600 MB/s
Toshiba OCZ RD400 512 GB
7.2 na 10 pkt.
Ocena benchmark.pl
  • 4,3/5

Porównywarka

Ocena benchmark.pl

Oceny cząstkowe w poszczególnych kategoriach oraz ocena końcowa

Wydajność w CrystalDiskMark

Intel SSD 750 400 GB
5.7
Toshiba OCZ RD400 512 GB
5.3
Kingston HyperX Savage 240 GB
3.7
SanDisk SSD Plus 480 GB
3.2

Wydajność w AS SSD Benchmark

Intel SSD 750 400 GB
9.8
Toshiba OCZ RD400 512 GB
7.2
Kingston HyperX Savage 240 GB
4.2
SanDisk SSD Plus 480 GB
3.3

Wydajność w PCMark8

Intel SSD 750 400 GB
n/d
Toshiba OCZ RD400 512 GB
n/d
Kingston HyperX Savage 240 GB
n/d
SanDisk SSD Plus 480 GB
n/d

SSD: testy rzeczywiste

Intel SSD 750 400 GB
n/d
Toshiba OCZ RD400 512 GB
n/d
Kingston HyperX Savage 240 GB
n/d
SanDisk SSD Plus 480 GB
n/d

Intel SSD 750 400 GBvsToshiba OCZ RD400 512 GB : Wynik ogólny

Cechy szczególne

Wydajność urządzenia według najważniejszych wskaźników

AS SSD – wynik ogólny

Intel SSD 750 400 GB
3331
Toshiba OCZ RD400 512 GB
2531
Kingston HyperX Savage 240 GB
1245
SanDisk SSD Plus 480 GB
1055

Różnice

Zalety jednego urządzenia nad drugim

Intel SSD 750 400 GB

Dlaczego warto wybrać:
Intel SSD 750 400 GB

  • Deklarowany IOPS – odczyt
    440000 vs 190000
    132% więcej
  • Deklarowany IOPS – zapis
    290000 vs 120000
    142% więcej
Toshiba OCZ RD400 512 GB

Dlaczego warto wybrać:
Toshiba OCZ RD400 512 GB

  • Pamięć podręczna dysku
    512 MB vs 1 GB Micron DDR3-1600 MB
    51,100% więcej
  • Pojemność
    512 GB vs 400 GB
    28% więcej
  • Szybkość zapisu
    1600 MB/s vs 900 MB/s
    78% więcej
  • Szybkość odczytu
    2600 MB/s vs 2200 MB/s
    18% więcej
  • Niezawodność MTBF
    1500000 h vs 1200000 h
    25% więcej
  • Pobór energii (aktywność)
    6 W vs 9 W
    33% mniej

Specyfikacja

Szczegółowa lista cech i parametrów urządzenia

Intel SSD 750 400 GB vs Toshiba OCZ RD400 512 GB

Deklarowana wydajność

Deklarowany IOPS – zapis
290000
Deklarowany IOPS – odczyt
440000
Szybkość odczytu
2200 MB/s
Szybkość zapisu
900 MB/s

Deklarowana wydajność

Deklarowany IOPS – zapis
120000
Deklarowany IOPS – odczyt
190000
Szybkość odczytu
2600 MB/s
Szybkość zapisu
1600 MB/s

Informacje ogólne o SSD

Pojemność
400 GB
Interfejs dysku
PCI-Express 3.0 x4 (NVMe)
Format dysku
PCIe HHHL

Informacje ogólne o SSD

Pojemność
512 GB
Interfejs dysku
PCI-Express 3.0 x4 / NVM-Express 1.1b
Format dysku
M.2 2280

Parametry SSD

Kości pamięci
Intel 20 nm MLC NAND
Pamięć podręczna dysku
1 GB Micron DDR3-1600 MB
Typ pamięci podręcznej ssd
DDR3
Kontroler
Intel CH29AE41AB0

Parametry SSD

Kości pamięci
Toshiba 15 nm MLC NAND
Pamięć podręczna dysku
512 MB
Typ pamięci podręcznej ssd
Samsung LPDDR3-1600
Kontroler
Toshiba TC58NCP070GSB

Technologie i kultura SSD

Pobór energii (aktywność)
9 W
Inne cechy dysku
S.M.A.R.T.
Niezawodność MTBF
1200000 h

Technologie i kultura SSD

Pobór energii (aktywność)
6 W
Inne cechy dysku
TRIM, S.M.A.R.T., Idle Time Garbage Collection
Niezawodność MTBF
1500000 h