Samsung zapowiada dyski SSD z 4. generacją pamięci V-NAND

Koncern Samsung zapowiedział 4. generację warstwowych pamięci V-NAND, które pozwolą na tworzenie jeszcze pojemniejszych i wydajniejszych nośników SSD. Pierwsze szczegóły o nowych pamięciach ujawniono podczas konferencji Flash Memory Summit 2016.

Koreański gigant jako pierwszy opracował pamięci warstwowe, które pozwoliły na tworzenie pojemniejszych i tańszych nośników. Pierwsza generacja technologii V-NAND trafiła do masowej produkcji jeszcze w 2013 roku, ale składała się tylko z 24 warstw. Z biegiem czasu inżynierowie dopracowali technologię i przygotowali drugą generację wykorzystującą 32 warstwy, a następnie trzecią już z 48 warstwami. Podczas targów FMS zapowiedziano czwartą generację wykorzystującą aż 64 warstwy. Nowe pamięci będą miały pojemność 512 Gb (64 GB), a ponadto ich przepustowość wzrośnie z 700 Mb/s do 800 Mb/s.

Przy okazji warto wspomnieć o konkurencyjnych pamięciach Toshiba BiCS3, które również wykorzystują 64 warstwy - tyle tylko, że ich pierwsze próbki będą miały pojemność 256 Gb, a dopiero w przyszłym roku mają pojawić się kości o pojemności 512 Gb. Samsung pod tym względem jest o krok przed konkurencją, bo produkcja jego pamięci ma się rozpocząć jeszcze pod koniec tego roku.

Koreański gigant zaprezentował już próbkę inżynieryjną pierwszego nośnika z nowymi pamięciami V-NAND – mowa o 2,5-calowym modelu PM1643, który może się pochwalić pojemnością aż 32 TB (ponad 2-krotnie większą od dotychczasowego lidera „małego formatu” – modelu Samsung PM1633a o pojemności 15,36 TB). Nośnik korzysta z interfejsu SAS i został zaprojektowany z myślą o profesjonanych zastosowaniach.

To jednak nie koniec potencjału nowych pamięci, bo producent planuje również miniaturowe nośniki w obudowie BGA – w jednym układzie o wymiarach 11,5 x 13 mm znajdzie się nie tylko dysk, ale kontroler i pamięć podręczne LPDDR4, a cała taka konstrukcja będzie mieć pojemność nawet 1 TB. Nośnik ten korzysta z interfejsu PCI-Express 3.0 x2, a jego wydajność ma sięgać nawet 1500 MB/s przy odczycie i 900 MB/s przy zapisie danych.

Podczas konferencji zapowiedziano także nośniki typu M.2 w wersji 32114 (32 x 114 mm) – producent zaprojektował je specjalnie z myślą o serwerach typu 1U. Większa powierzchnia płytki drukowanej  pozwoli zwiększyć pojemność takiego nośnika nawet do 8 TB. Dla porównania, standardowe modele M.2 22110 (22 x 110 mm) oferują „tylko” pojemność 2 TB.

Dla najbardziej wymagających odbiorców koreański gigant szykuje nośniki Z-SSD, które sprawdzą się głównie w profesjonalnych zastosowaniach z zakresu analizowania danych i sztucznej inteligencji (czyli, gdzie bardzo ważna jest wysoka przepustowość i szybki czas reakcji pamięci).

Dyski mają bazować na całkowicie nowym kontrolerze, wykorzystującym potencjał interfejsu PCI-Express 4.0, a także kościach pamięci Z-NAND (dokładna specyfikacja jeszcze nie jest znana). Producent chwali się jednak znacznie wyższą wydajnością i lepszą efektywnością energetyczną w porównaniu do konstrukcji korzystających z pamięci PRAM (Phase-change Memory).

Pierwsze nośniki Samsung Z-SSD zaoferują pojemność 1 TB i pojawią się jeszcze w tym roku, natomiast w przyszłym roku planowana jest premiera modeli o pojemności 2 i 4 TB. Jest jednak pewien problem, bo na rynku jeszcze nie ma dostępnej platformy zgodnej ze standardem PCI-Express 4.0.

Źródło: ComputerBase, Golem, AnandTech, The SSD Review