W nadchodzących procesorach Intel Haswell zostanie zastosowany udoskonalony kontroler pamięci, który pozwoli na pracę z szybszymi modułami oraz... lepsze możliwości ich podkręcania. Sytuację tą postanowił wykorzystać John Lam i już przed oficjalną premierą platformy ustanowił nowy rekord w częstotliwości pracy modułów DDR3.
Chiński overclocker skompletował platformę testową składającą się m.in. z próbki inżynieryjnej procesora Intel Core i7 4770K, jednego modułu pamięci Team Group Team Xtreem PC3-21300 DDR3 2666 MHz oraz płyty głównej ASRock Z87M OC Formula. Z kolei do schłodzenia procesora, chipsetu płyty głównej oraz kości pamięci wykorzystał on ciekły azot – w ostatnim przypadku został on nalany do „eksperymentalnego” kontenera z folii aluminiowej.
Jahon Lam zwiększył taktowanie pamięci RAM aż do 4018 MHz przy opóźnieniach 14-19-15-45, a tym samym uzyskał nowy rekord świata w taktowaniu pamięci DDR3 – wynik ten jest o 100 MHz wyższy względem poprzedniego rekordu Christiana Neya.
Kliknij, aby przejść do walidacji wyniku
Trzeba zatem przyznać, że wynik robi wrażenie – tym bardziej, że ostatnio najwyższe wyniki w tej kategorii były ustanawiane na platformach AMD (z układami APU Llano lub FX Zabmezi). Niewykluczone również, że nie jest to kres możliwości platformy Intel Haswell.
Źródło: TeamGroup, HWBot, ValidCanard
