Technologia high-k z metalową bramką odnosi dalsze sukcesy
- Od listopada 2007 roku Intel dostarczył ponad 200 milionów procesorów 45-nanometrowych z tranzystorami HK+MG.
Intelowski, 32-nanometrowy proces produkcyjny został zatwierdzony, a wafle z procesorami Westmere są obecnie przygotowywane do planowanego rozpoczęcia produkcji w 4. kwartale
Druga generacja 32-nanometrowych tranzystorów high-k z metalową bramką cechuje się najwyższą wydajnością (mierzoną prądem sterowania) spośród wszystkich tranzystorów wytwarzanych w technologii 32- lub 28-nanometrowej
- Tranzystory NMOS są wydajniejsze o 19 procent w porównaniu z odpowiednikami 45-nanometrowymi
- Tranzystory PMOS są wydajniejsze o 29 procent w porównaniu z odpowiednikami 45-nanometrowymi
Druga generacja 32-nanometrowych tranzystorów high-k z metalową bramką cechuje się najwyższą zgłoszoną gęstością spośród wszystkich tranzystorów wytwarzanych w technologii 32- lub 28-nanometrowej
- Długość bramki tranzystora, miara gęstości, wynosi 112,5 nm. Długość bramki wskazuje, jak gęsto można upakować tranzystory na danym obszarze. Wyższa gęstość oznacza więcej tranzystorów na danej powierzchni, a zatem większą funkcjonalność i wyższą wydajność.
Intel wprowadza 32-nanometrową technologię produkcji SoC — najbardziej zaawansowaną spośród wszystkich technologii 32- lub 28-nanometrowych
- Intel po raz pierwszy opracował w pełni funkcjonalną technologię wytwarzania układów SoC, która uzupełnia technologię specyficzną dla procesorów.
- Do specjalnych cech tej technologii należą tranzystory high-k drugiej generacji z metalową bramką o bardzo niskim poborze mocy, przeznaczone do obwodów z niskim prądem gotowości albo zawsze włączonych, a także wysokonapięciowe tranzystory wejścia-wyjścia.
- Proces produkcyjny obejmuje również precyzyjne i dobre jakościowo komponenty pasywne specyficzne dla układów SoC, takie jak oporniki, kondensatory i cewki.
źródło: informacja prasowa
