Firmy Toshiba i Western Digital opracowały 64-warstwowe pamięci NAND

Firmy Toshiba i Western Digital opracowały pierwsze na świecie, 64-warstwowe kości pamięci NAND, które pozwolą na tworzenie jeszcze pojemniejszych nośników półprzewodnikowych. Nowe pamięci znajdą zastosowanie głównie w dyskach SSD, urządzeniach mobilnych, a także centrach danych.

Jeszcze do niedawna zwiększenie pojemności pamięci bardzo często wymagało zmniejszenia procesu technologicznego, ale z biegiem czasu było to coraz trudniejsze i wymagało większych nakładów finansowych. Rozwiązaniem tego problemu są właśnie pamięci warstwowe, w których komórki pamięci są rozłożone nie tylko poziomo, ale również pionowo – tworzą więc warstwy, co znacznie zwiększa pojemność takich konstrukcji.

Przy okazji warto wspomnieć, że pamięci warstwowe nie są niczym nowym, bo wcześniej tego typu układy opracowały już koncerny Toshiba (BiCS), Samsung (V-NAND) oraz Intel/Micron (3D NAND) - tyle tylko, że oferowały one maksymalnie 32 (1. generacja) lub 48 warstw (2. generacja).

Firmy Western Digital i Toshiba tym razem chwalą się pamięciami BiCS3 (3. generacja Bit Cost Scaling), które podniosły poprzeczkę jeszcze wyżej i składają się aż z 64 warstw. Co prawda pierwsze próbki zaliczają się do pamięci TLC NAND i oferują „tylko” pojemność 256 Gb (więc taką samą jak poprzednie układy BiCS2 lub konkurencyjne V-NAND, a w porównaniu do 3D NAND nawet niższą – te mają pojemność 384 Gb), ale inżynierowie podobno planują układy o pojemności 512 Gb i taką technologię już można nazwać dużym krokiem w ewolucji.

Do produkcji pamięci BiCS3 wybudowano fabrykę New Fab 2 w Yokkaichi (Japonia), którą otworzono na początku tego miesiąca. Pierwsze dostawy nowych pamięci spodziewane są jeszcze w tym roku, natomiast ich masowa produkcja ma ruszyć dopiero na początku przyszłego roku.

Źródło: Toshiba