Pojemność: 120 GB | Szybkość odczytu: 500 MB/s | Szybkość zapisu: 360 MB/s
GOODRAM C100 120 GB
4.7 na 10 pkt.
Ocena benchmark.pl
  • 4/5

Pojemność: 512 GB | Szybkość odczytu: 550 MB/s | Szybkość zapisu: 520 MB/s
Samsung SSD 850 Pro 512 GB
5.3 na 10 pkt.
Ocena benchmark.pl
  • 4/5

Porównywarka

Ocena benchmark.pl

Oceny cząstkowe w poszczególnych kategoriach oraz ocena końcowa

Wydajność w CrystalDiskMark

GOODRAM C100 120 GB
3.1
Samsung SSD 850 Pro 512 GB
3.5
Seagate 600 SSD 240 GB
3.8
OCZ ARC 100 240 GB
3.6

Wydajność w AS SSD Benchmark

GOODRAM C100 120 GB
2.8
Samsung SSD 850 Pro 512 GB
3.9
Seagate 600 SSD 240 GB
3.1
OCZ ARC 100 240 GB
3.4

Wydajność w PCMark8

GOODRAM C100 120 GB
n/d
Samsung SSD 850 Pro 512 GB
n/d
Seagate 600 SSD 240 GB
n/d
OCZ ARC 100 240 GB
n/d

SSD: testy rzeczywiste

GOODRAM C100 120 GB
n/d
Samsung SSD 850 Pro 512 GB
n/d
Seagate 600 SSD 240 GB
n/d
OCZ ARC 100 240 GB
n/d

GOODRAM C100 120 GBvsSamsung SSD 850 Pro 512 GB : Wynik ogólny

Cechy szczególne

Wydajność urządzenia według najważniejszych wskaźników

AS SSD – wynik ogólny

GOODRAM C100 120 GB
741
Samsung SSD 850 Pro 512 GB
1132
Seagate 600 SSD 240 GB
1050
OCZ ARC 100 240 GB
1023

Różnice

Zalety jednego urządzenia nad drugim

GOODRAM C100 120 GB

Dlaczego warto wybrać:
GOODRAM C100 120 GB

  • CrystalDiskMark – Odczyt
    522.5 Mb/s vs 513 Mb/s
    2% więcej
Samsung SSD 850 Pro 512 GB

Dlaczego warto wybrać:
Samsung SSD 850 Pro 512 GB

  • Pamięć podręczna dysku
    512 MB vs 256 MB
    100% więcej
  • Pojemność
    512 GB vs 120 GB
    327% więcej
  • Szybkość zapisu
    520 MB/s vs 360 MB/s
    44% więcej
  • Szybkość odczytu
    550 MB/s vs 500 MB/s
    10% więcej
  • Deklarowany IOPS – odczyt
    100000 vs 53000
    89% więcej
  • Deklarowany IOPS – zapis
    90000 vs 70000
    29% więcej
  • PCMark7
    5616 pkt vs 5239 pkt
    7% więcej
  • CrystalDiskMark – Zapis
    487 Mb/s vs 377.6 Mb/s
    29% więcej

Specyfikacja

Szczegółowa lista cech i parametrów urządzenia

GOODRAM C100 120 GB vs Samsung SSD 850 Pro 512 GB

Deklarowana wydajność

Deklarowany IOPS – zapis
70000
Deklarowany IOPS – odczyt
53000
Szybkość odczytu
500 MB/s
Szybkość zapisu
360 MB/s

Deklarowana wydajność

Deklarowany IOPS – zapis
90000
Deklarowany IOPS – odczyt
100000
Szybkość odczytu
550 MB/s
Szybkość zapisu
520 MB/s

Informacje ogólne o SSD

Pojemność
120 GB
Interfejs dysku
SATA III
Format dysku
2.5

Informacje ogólne o SSD

Pojemność
512 GB
Interfejs dysku
SATA III
Format dysku
2,5 cala

Parametry SSD

Kości pamięci
Toshiba 19 nm MLC NAND
Pamięć podręczna dysku
256 MB
Typ pamięci podręcznej ssd
DDR3
Kontroler
Phison PS3108

Parametry SSD

Kości pamięci
Samsung 40 nm MLC 3D V-NAND
Pamięć podręczna dysku
512 MB
Typ pamięci podręcznej ssd
LPDDR2-1066
Kontroler
Samsung MEX

Technologie i kultura SSD

Inne cechy dysku
TRIM, S.M.A.R.T., Garbage Collection

Technologie i kultura SSD

Inne cechy dysku
HCI, NCQ, TRIM, SMART, Garbage Collection, DevSleep