Układy Intel SoC z tranzystorami Tri-gate 22 nm - smartfony i tablety będą jeszcze wydajniejsze

W kwietniu zadebiutowały procesory Intel Ivy Bridge, które jako pierwsze zostały wykonane w 22-nanometrowym procesie technologicznym i wyposażono je w tranzystory Tri-gate. Dzięki temu ich wydajność jest wyższa, a pobór mocy niższy. Okazuje się, iż podobna technologia niedługo zawita w urządzeniach mobilnych.

Mark Bohr, dyrektor ds. architektury i integracji procesorów w firmie Intel, powiedział na konferencji 2012 IEDM (International Electron Devices Meeting), że w przyszłym roku rozpocznie się masowa produkcja nowej generacji układów SoC (System-on-a-chip) dla smartfonów i tabletów. Modele te będą wytwarzane w procesie 22 nm i zostaną wyposażone w tranzystory 3D.

Konstrukcje te zaoferują od 20% do nawet 65% większą wydajność względem dotychczasowych modeli wytwarzanych w 32-nanometrowym procesie technologicznym z użyciem tranzystorów 2D (np. Atom Z2760). W rezultacie będą one mogły konkurować ze średnio wydajnymi i wydajnymi układami SoC ARM.

Tranzystor planarny (2D) wykonany w 32 nm i nowy Tri-gate (3D) wykonany w 22 nm

Źródło: CNet, TechPowerUp