Oświadczenie to jest jednak bardziej uaktualnieniem informacji na temat postępów nad tym projektem niż przełomową wiadomością. Na początku ubiegłego roku IBM zaprezentował technologię, która "przyspieszała zastosowanie technologii high-k/metal gate w kolejnej generacji 32 nanometrowych układach komputerowych."
Gate jest podstawowym elementem, z którego tworzy się cyfrowe obwody podczas gdy high-k/metal jest jego materiałem. Na przykład Intel skorzystał z materiału znanego jako hafnium, aby zastąpić silicon dioxide gate dielectric w 45 nanometrowych procesorach. W związku z tym, że tranzystory nieustannie się kurczą straty energii są coraz bardziej prawdopodobne. Dla producentów układów najważniejsze jest zatem zminimalizowanie strat. To właśnie to zadanie przejmuje na siebie high-k/metal gate.
Technologia będzie dostępna dla partnerów tego porozumienia w drugiej połowie 2009 roku, ale projektowanie urządzeń, które będą wykonane za pomocą tej technologii może się już rozpoczynać, informuje IBM. AMD nie zostało objęte tym porozumieniem ponieważ z technicznego punktu widzenia jest członkiem osobnej grupy zwanej SOI, czyli Silicon-On-Inslator.
