RAM – Random Acces Memory – pamięć o dostępie swobodnym. Jest to podstawowy rodzaj pamięci cyfrowej spotykany w komputerach i innych urządzeniach elektronicznych takich jak np. telefony komórkowe. Pamięci RAM nie należy mylić z pamięcią ROM która umożliwia tylko swobodny odczyt danych.
W pamięci RAM przechowywane są dane wykonywanych aktualnie przez komputer zadań. Coraz nowsze programy wymagają coraz więcej tej pamięci i dlatego m.in. tak ważna jest rozbudowa pamięci komputera. Przykładowo w 2007 roku standardem było 1GB pamięci a na dzień dzisiejszy wynosi 2GB.
Rodzaj pamięci stosowany w serwerach. Moduły mają rozszerzoną szynę danych przez którą oprócz samych danych płyną kody kontrolne, które umożliwiają wykrycie przełamania pojedynczych bitów. Rozwiązanie to pozwala uzyskać większą stabilność kosztem 1-3% wydajności. Do obsługi tego typu pamięci musi być odpowiednia płyta główna.
CL - CAS Latency tCL (3/4/5/6) (CAS Latency Time, CAS Timing Delay) w nawiasie przykładowe opóźnienia które określają liczbę cykli zegara magistrali, jakie mijają od wydania przez procesor polecenia aktywacji wybierania kolumny do momentu przekazania danych do bufora w kontrolerze pamięci. Producenci pamięci często podają najlepszą wartość opóźnienia jako CL.
RCD -RAS-to-CAS Delay tRCD (3/4/5) (RAS to CAS Delay, Active to CMD) określa, ile taktów zegara jest wymagana po wykonaniu polecenia CAS i zlokalizowania w ten sposób potrzebnej kolumny, do wykonania ładowania RAS. Im mniejsza wartość tym lepsza wydajność.
RAS Precharge Time tRP (4/5/6) (RAS Precharge, Precharge to active) RP określa liczbę taktów zegara, jaka jest potrzebna do przywrócenia danym ich pierwotnej lokalizacji, zamknięcia banku lub też liczbę cykli wymaganą do stronicowania pamięci przed wykonaniem kolejnego polecenia aktywacji banku.
tRAS -Row Active Time tRAS (from 5 to 15) (Active to Precharge Delay, Precharge Wait State, Row Active Delay, Row Precharge Delay) określa ilość cykli wymaganych do wykonania komendy aktywacji jednego z banków pamięci, zanim załadowanie adresu wiersza może zostać wykonane.
Przykładowe Timingi Pamięci w Notebooku
Im mniejsza wartość opóźnienia tym lepsza wydajność. Pamięci o wyższych taktowaniach zazwyczaj mają większe timingi, ale droższe pamięci nawet z wysokim taktowaniem mogą mieć małe opóźnienia.
Pamięć SIMM – Single Inline Memory Module – Pojedynczy Moduł Pamięci Liniowej
Dużą zmiana w stosunku do starszych pamięci było to ,że moduł nie posiadał wystających pinów, tylko tak jak obecne pamięci złącza miał wtopione w płytkę. Jeszcze jedną zmianą była specyficzna budowa nie umożliwiająca nieprawidłowy montaż pamięci w slocie. Jest to stosowane w pamięciach do dziś. Modułu dzieli się na starsze 30 pinowe, 8 bitowe o pojemności: 256KB, 1MB, 4MB i 16MB. Nowsze 72 pinowe, 32 bitowe i pojemności: 1MB, 2MB, 4MB, 8MB, 16MB, 32MB, 64MB i 128MB.
.gif)
30 pinowy moduł pamięci SIMM
.jpg)
72 pinowy moduł SIMM
Pamięć SDR SDRAM - Single Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory. Pamięć synchroniczna, gdyż współpracuje z magistralą systemową. Zasilana napięciem 3.3 Volta.
Taktowana 66MHz, 100MHz i 133MHz o pojemności: 32MB, 64MB, 128MB, 256MB i 512MB. Pamięć posiada 168 pinów z dwoma przedziałami.
Typowa przepustowość pamięci dla modułu 100MHz - 800MB/s
.jpg)
Standardowy Moduł SDR
.jpg)
Moduł SDR przeznaczony do Notebooków
Pamięć DDR SDRAM - Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory. Pamięć o dwukrotnie większej przepustowości od SDR. Napięcie w porównaniu do starszych SDRAM zmniejszono do 2.5 Volta co zapewniło mniejsze zużycie prądu. Czas dostępu pamięci wynosi 4ns. Pamięci taktowane 200MHz, 266MHz, 333MHz i 400MHz. Dzięki technologii DDR osiągnięto następujące przepustowości:
Pamięci DDR umożliwiały pracę w trypie Dual Channel o ile płyta główna wspierała tę technologię. Moduł posiada 184 piny z jednym przedziałem.
.jpg)
Standardowy moduł DDR
.jpg)
Moduł DDR do Notebooków
Pamięć DDR 2 SDRAM - Double Data Rate 2 Synchronous Dynamic Random Access Memory. Jest to druga generacja pamięci DDR. DDR2 przesyła 4 bity w ciągu jednego taktu zegara ,a DDR 2 bity. Dwukrotnie szybsze od DDR i zarazem czterokrotnie szybsze od SDR. Zmniejszono napięcie zasilające do 1.8V. Pamięci budowane są na płytce FBGA, to zapewnia im możliwość pracy w temperaturze nawet 70*C. Zapewnia to duże możliwości overclockerom.
Te ostatnie przy podniesionym napięciu i dobrym chłodzeniu.
Zwiększono ilość pinów ze 184 do 240. Zmieniono nieznacznie miejsce przecięcia, aby przypadkowo nie włożyć pamięci DDR. Poprzez podwojenie prędkości układu I/O możliwe jest obniżenie prędkości modułu bez utraty przepustowości. Dodatkowo układy terminujące zostały przeniesione z płyty głównej do wnętrza pamięci. Zapobiega to powstaniu błędów wskutek transmisji odbitych sygnałów. W sprzedaży są moduły o pojemności: 256MB, 512MB, 1GB, 2GB, 4GB.
.jpg)
Standardowy moduł DDR2
Moduł DDR2 no Laptopa
Pamięć DDR 3 SDRAM - Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory. Trzecia generacja pamięci DDR. DDR3 przesyła 8 bitów danych na jeden takt zegara. Moduły aż osiem razy szybsze od standardowych DDRów. Zastosowano proces technologiczny 90nm i dzięki temu zmniejszono napięcie zasilające do 1.5V. Daje to 40% mniejsze zużycie energii elektrycznej. Pamięci mają znacznie przesunięte wcięcie w stosunku do DDR2 i niema możliwości włożenia ich do slotu ani DDR ani DDR2.
Standardowy Moduł DDR3
Moduł DDR3 do Notebooka
Podsumowując z każdą nową generacją pamięci zyskujemy dużo na wydajności i oszczędzamy. Każda kolejna wersja pamięci DDR pobiera mniej prądu i jest dwukrotnie szybsza od poprzedniej. Należy pamiętać ,że posiadając szybką pamięć liczy się też jej pojemność. Coraz nowsze aplikacje wymagają więcej zasobów pamięci do szybkiego działania i dlatego ważna jest rozbudowa pamięci.
SDR były używane nie tylko w AMD K6, w K7 też ;)
Opis całkiem fajny, taki krótki przekrój rozwoju pamięci RAM.
Ogółem nie do końca dobrze przygotowane. Pomieszane złączki z typami pamięci. Złączki - owszem DIP (obudowa), SIPP(złączka), SIMM (złącze modułu), DIMM (złącze modułu), ale również ZIP (stosowane m.in. w rozszerzeniach AMIGI).
Typy pamięci
SRAM (taa, nieładna nazwa, jednak choćby w socket 7 był stosowany jako pamięć cache L2/L3)
EDO oraz FPM DRAM (asynchroniczna pamięć właśnie w tych 30 i 72 pinowych simmach)
SDRAM, RDRAM, DDR, DDR2, DDR3...
Oprócz ECC stosowane są też pamięci Fully Buffered i Registered.
"CL - CAS Latency tCL (3/4/5/6) (CAS Latency Time, CAS Timing Delay) w nawiasie przykładowe opóźnienia które określają liczbę cykli zegara magistrali, jakie mijają od wydania przez procesor polecenia aktywacji wybierania kolumny do momentu przekazania danych do bufora w kontrolerze pamięci. Producenci pamięci często podają najlepszą wartość opóźnienia jako CL.
RCD -RAS-to-CAS Delay tRCD (3/4/5) (RAS to CAS Delay, Active to CMD) określa, ile taktów zegara jest wymagana po wykonaniu polecenia CAS i zlokalizowania w ten sposób potrzebnej kolumny, do wykonania ładowania RAS. Im mniejsza wartość tym lepsza wydajność.
RAS Precharge Time tRP (4/5/6) (RAS Precharge, Precharge to active) RP określa liczbę taktów zegara, jaka jest potrzebna do przywrócenia danym ich pierwotnej lokalizacji, zamknięcia banku lub też liczbę cykli wymaganą do stronicowania pamięci przed wykonaniem kolejnego polecenia aktywacji banku."
Od kiedy timingi pamięci zaczynają się od tak wysokich wartości ja kiedyś miałem DDR 400 CL 1.5 2.0 2.0 2.5 1T więc troche mnie to śmieszy jeśli już masz tak pisać to bylo napisać ze dane odnoszą sie do DDR2.
1.5 nigdy nie było zatwierdzone przez JEDEC, CL2 to było minimum. W DDR2 ustawień do pamięci jest znacząco więcej.
I w całym opisie brak jeszcze rodzaju jednych pamieci ,Przewineły sie choc dosc po cichu,ale na gieldzie do dzis znajduje sie takie rodzynki .RIMM (ang. Rambus Inline Memory Module) – jeden z rodzajów kości pamięci komputerowej, na którym umieszczone są układy scalone z pamięcią Rambus DRAM (RDRAM).
Najpopularniejsze kości typu RIMM:
160-pinowe, stosowane SO-RIMM
184-pinowe, stosowane RIMM 16-bitowe
232-pinowa, stosowane RIMM 32-bitowe
326-pinowa, stosowane RIMM 64-bitowe
Kości 16-bitowe pamięci RIMM na płytach głównych muszą być montowane w parach, kości 32-bitowe mogą być instalowane pojedynczo. Każde niewykorzystane gniazdo pamięci na płycie głównej (ang. slot) musi być zamknięte specjalną zaślepką.
Kości pamięci RIMM wyposażone są w radiator, konieczny do odprowadzania nadmiaru ciepła.
Artykuł spoko na 4
nie dodales DDR2 800 i 1066 ;>
I jeszcze kiedys do pentiumow bylo cos takiego jak RAM BUs czy jakos tak ;>
RDRAM - opisany wyżej. Był RDRAM 800MHz wzwyż, ale miał spore opóźnienia, grzał się, najczęściej trzeba było w parach montować moduły i w niewykorzystane sloty montować terminatory - zapobiegające odbiciom i zakłóceniom sygnałów. Było to szybsze niż SDR a nawet pierwsze DDR, ale dużo droższe niż DDR stąd szybka śmierć. Rozwiązanie nieco dopracowane w postaci XDR stosowane jest w PS3.
3 Gb pamięci w dualu? nie widziałem jeszcze kostki 1.5 Gb :). A tak na marginesie, pamiętam jeszcze jak kiedyś w sklepie dobierałem pamięci SIMM do mojego potwora pentium I 75 Mhz :D to były czasy..
błąd cpu-z (bo to laptop) albo u intela to działa inaczej niż u amd ja myślałem że ten screen to masz z tego kompa athlon 5000+ jeśli w intelu może być 2gb i 1gb w dualu to przepraszam ale wiem że na AMD już sie tak nie da. pozdr.
Nick: assistant
Imię: Mikołaj
Nazwisko: ukryte
Wiek: 32
Status: zwykły
Punkty: 31
Jaki jest obecnie najtańszy natywnie czterordzeniowy procesor na rynku? Oczywiście jest to Athlon ii x4 631 dedykowany pod socket FM1
zajawka
Sprzęty i produkty dostępne do testów.
ocena userów:116
ocena userów:88
ocena userów:65
ocena userów:59
ocena userów:58
ocena userów:53
ocena userów:53
ocena userów:51
ocena userów:47
ocena userów:45
ocena userów:44
ocena userów:36
ocena userów:36
ocena userów:35
ocena userów:34
ocena userów:33
ocena userów:31
ocena userów:30
ocena userów:29
ocena userów:28
