Pamięć flash

Dyski SSD szybsze dzięki pamięciom Toggle DDR

Samsung i Toshiba oficjalnie poinformowały o rozpoczęciu prac nad drugą generacją układów pamięci DDR NAND. Efektem ma być 10-krotne przyśpieszenie działania pamięci Flash w porównaniu z obecnie stosowanymi obecnie pamięciami SDR NAND.

Przyśpieszenie oczywiście odczują nie tylko korzystający z dysków SSD. Technologia NAND wykorzystywana jest w układach pamięci stosowanych powszechnie w aparatach fotograficznych, telefonach, palmtopach, przenośnych odtwarzaczach multimedialnych, czy w nawigacjach satelitarnych.

Najpopularniejsze obecnie pamięci NAND wykorzystujące interfejs SDR gwarantują przepustowość na poziomie 40 Mb/s (nie należy tej wartości mylić z wydajnością dysku zbudowanego na bazie takich układów). Zaprezentowana przez Samsung zimą zeszłego roku technologia Toggle DDR (wykorzystująca interfejs DDR) pozwoliła zwiększyć ten parametr do poziomu 133 Mb/s. Kolejna specyfikacja Toggle DDR 2.0 przewiduje wzrost wydajności do poziomu aż 400 Mb/s, czyli 10 razy więcej niż dotychczas.

Wejście na rynek telefonów czwartej generacji (4G), bardziej zaawansowanych palmtopów czy tabletów powinno według Samsunga przyśpieszyć wdrożenie pamięci Toggle DDR.

 

 

Jednym z pierwszych urządzeń wykorzystujących asynchroniczne pamięci DDR NAND, wyprodukowane w procesie 30 nm, jest 512 GB dysk twardy SSD, który Samsung zaprezentował w czerwcu. Według Samsunga połączenie zalet pamięci Toggle DDR oraz interfejsu SATA 3 Gbps pozwala na osiągnięcie prędkości odczytu i zapisu sekwencyjnego na poziomie odpowiednio 250 i 220 MB/s. Dodatkową zaletą urządzeń opartych na nowych pamięciach ma być energooszczędność - pamięci Toggle DDR do pracy wystarczy napięcie jedynie 1,8 V.

 

 

W zeszłym miesiącu Samsung wraz z Toshibą rozpoczęły rozmowy których efektem ma być zaakceptowanie standardu Toggle DDR 2.0 przez organizację JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council).

 

Źródło: Samsung

Polecamy artykuły:  
Najlepsze bezpłatne gry do pobraniaTest GPGPU: NVIDIA Fermi vs ATI EvergreenChłodzenie przy 4.0 GHz - woda vs powietrze

Komentarze

15
Zaloguj się, aby skomentować
avatar
Komentowanie dostępne jest tylko dla zarejestrowanych użytkowników serwisu.
  • avatar
    Konto usunięte
    0
    człowiek się obejrzy a świat już go wyprzedził
    • avatar
      Gothar
      0
      "Według Samsunga połączenie zalet pamięci Toggle DDR oraz interfejsu SATA 3 Gbps pozwala na osiągnięcie prędkości odczytu i zapisu sekwencyjnego na poziomie odpowiednio 250 i 220 MB/s."

      I bez tej "nowej" technologii obecne dyski SSD osiągają takie prędkości, a powinny wg artykułu wzrosnąć przynajmniej 3x, a dla T DDR 2.0 10x dziwne. Gdzie ten zysk?
      • avatar
        Konto usunięte
        0
        No to dyski SSD będą jeszcze droższe ;/
        • avatar
          Konto usunięte
          0
          dobrze by było gdyby stosunek ceny do pojemności oscylował chociaż w granicach 5zł - 1GB ;)
          • avatar
            Konto usunięte
            0
            A ja czekam na kolejną generację dysków intela, nie żebym narzekał na X25-M G2 ale przydałyby się nowe!