Na początku bieżącego roku pisaliśmy o pierwszych modułach pamięci DDR4 wyprodukowanych przez Samsunga. Tym razem o swoich dokonaniach z pamięciami DDR4 informuje firma Hynix - także mająca duże doświadczenie w produkcji pamięci RAM.
Jak donosi Hynix, udało mu się wyprodukować w 30-nanometrowym procesie technologicznym 2 Gb kości pamięci DDR4. Warto zaznaczyć, że w tej samej technologii kości DDR4 opracował Samsung - tyle, że 4 miesiące temu. W odróżnieniu od Samsunga, Hynix na nowych kościach przygotował 2 GB moduły pamięci DDR4 ECC-SODIMM (Error Check & Correction Small Outline Dual In-line Memory Module ), które w późniejszym okresie czasu będą przeznaczone do mikroserwerów.
Wrażenie robi nie tylko zastosowanie kolejnej generacji technologii DDR, ale także częstotliwość pracy modułów wynosząca 2400 MHz przy napięciu zasilającym 1,2 V. Dla porównania standardowe moduły pamięci DDR3 o taktowaniu 1333 MHz, oferują około o 80% mniejszą wydajność osiągając przepustowość 10,6 GB/s - prototypowe DDR4 oferują przepustowość na poziomie 19,2 GB/s.
Nowe moduły Hynixa DDR4 ECC-SODIMM pomimo wkroczenia dopiero w fazę testów już teraz spełniają normy organizacji JEDEC, która zajmuje się tworzeniem standardów dla układów półprzewodnikowych. Pamięci do seryjnej produkcji według Hynixa powinny trafić w 2 kwartale 2012 roku.
Według prognoz firmy badawczej iSuppli, pamięć DDR4 w 2013 roku powinna już mieć 5% udziały w rynku, podczas gdy po dwóch latach (w 2015 roku) ponad 50%, a tym samym większość. Pamięci DDR3 szczyt popularności powinny osiągnąć w 2012 roku obejmując 71% rynku, natomiast już za trzy lata - w 2014 roku - przewaga ta stopnieje do 49%.
Źródło: techpowerup.com
