Samsung SSD 850 EVO 500 GB

Pojemność: 500 GB | Szybkość odczytu: 540 MB/s | Szybkość zapisu: 520 MB/s
Samsung SSD 850 EVO 500 GB
6.0 na 10 pkt.
Ocena benchmark.pl
  • 4,7/5

Porównywarka

Ocena benchmark.pl

Oceny cząstkowe w poszczególnych kategoriach oraz ocena końcowa

4.7

Wydajność w CrystalDiskMark

CrystalDiskMark – Odczyt
536 Mb/s
CrystalDiskMark – Odczyt losowy 512 KB
451 Mb/s
CrystalDiskMark – Odczyt losowy 4KB
52 Mb/s
CrystalDiskMark – Odczyt losowy 4KB QD32
398 Mb/s
CrystalDiskMark – Zapis
519 Mb/s
CrystalDiskMark – Zapis losowy 512 KB
513 Mb/s
CrystalDiskMark – Zapis losowy 4KB
161 Mb/s
CrystalDiskMark – Zapis losowy 4KB QD32
361 Mb/s
4.5

Wydajność w AS SSD Benchmark

AS SSD Benchmark – odczyt sekwencyjny
513 Mb/s
AS SSD Benchmark – odczyt losowy 4 KB
49 Mb/s
AS SSD Benchmark – odczyt losowy 4 KB-64
375 Mb/s
AS SSD Benchmark – odczyt, czas dostępu
0.054 s
AS SSD Benchmark – zapis sekwencyjny
500 Mb/s
AS SSD Benchmark – zapis losowy 4 KB
130 Mb/s
AS SSD Benchmark – zapis losowy 4 KB-64
314 Mb/s
AS SSD Benchmark – zapis, czas dostępu
0.024 s
AS SSD – wynik ogólny
1230
b/d

Wydajność w PCMark8

b/d

SSD: testy rzeczywiste

Cechy szczególne

Wydajność urządzenia według najważniejszych wskaźników

AS SSD – wynik ogólny

Samsung SSD 850 EVO 500 GB
1230
Crucial MX200 500 GB
1112
Kingston HyperX Savage 240 GB
1245

Specyfikacja

Szczegółowa lista cech i parametrów urządzenia

Specyfikacja

Deklarowana wydajność

Deklarowany IOPS – zapis
90000
Deklarowany IOPS – odczyt
98000
Szybkość odczytu
540 MB/s
Szybkość zapisu
520 MB/s

Informacje ogólne o SSD

Pojemność
500 GB
Interfejs dysku
SATA III
Format dysku
2.5

Parametry SSD

Kości pamięci
Samsung 40 nm TLC 3D V-NAND
Pamięć podręczna dysku
512 MB
Typ pamięci podręcznej ssd
DDR3L
Kontroler
Samsung MGX

Technologie i kultura SSD

Pobór energii (aktywność)
4 W
Inne cechy dysku
AES-256, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard, RAPID
Niezawodność MTBF
1500000 h