Ponad rok temu Samsung rozpoczął masową produkcję pamięci DDR4 dla serwerów i centrów danych, które bazowały na kościach o pojemności 4 Gb, wykonanych w 3X-nanometrowym (klasy 30 nm) procesie technologicznym. Koreański gigant idzie o krok naprzód i będzie wykonywał jeszcze pojemniejsze pamięci z zastosowaniem innowacyjnej technologii pakietów, polegającej na pionowym łączeniu spiętrzonych układów scalonych.
Wkrótce ma on rozpocząć produkcję kości o pojemności 8 Gb, które będą wykonywane w 2X-nanometrowym procesie technologicznym. Początkowo znajdą one zastosowanie w serwerowych modułach DDR4 RDIMM (Registered Dual Inline Memory Modules) o pojemności 32 GB. W porównaniu do modeli poprzedniej generacji DDR3 RDIMM, nowe pamięci będą do 29% wydajniejsze (1866 Mb/s vs 2400 Mb/s) i przy okazji mają charakteryzować się niższym poborem energii elektrycznej.
Później planowana jest produkcja pamięci z zastosowaniem technologii 3D TSV (3D through silicon via), gdzie układy scalone są szlifowane do kilkudziesięciu mikrometrów, a następnie nakłuwane, tak aby posiadały setki malutkich otworków. Następnie są łączone pionowo za pomocą elektrod przechodzących przez otwory. Rozwiązanie to już jest wykorzystywane w praktyce do produkcji modułów DDR4 RDIMM o pojemności 64 GB, ale dzięki 2-krotnie większej pojemności jednej kości, możliwe będzie stworzenie modułów o pojemności aż 128 GB.
Warto jednak zauważyć, że Samsung nie jest jedynym producentem, który będzie wytwarzał tak pojemne pamięci DDR4. Podobne plany ma również konkurencyjna firma SK Hynix, która zapowiedziała takie moduły na pierwszą połowę 2015 roku.
Źródło: Samsung, ComputerBase
