Podczas konferencji International Solid State Circuits Conference 2008 SanDisk i Toshiba przedstawiły wspólne opracowanie na temat pamięci NAND flash 43nm 16 Gb, omawiające techniczne innowacje zastosowane w tym produkcie.
SanDisk przechodzi na procesy produkcyjne 43nm w zakładach Toshiba Yokkaichi w pobliżu miasta Nagoya w Japonii. SanDisk i Toshiba wspólnie korzystają z mocy produkcyjnych fabryki Yokkaichi, współpracując jednocześnie nad stworzeniem wielu projektów i technologii wykorzystywanych w pamięciach MLC NAND flash. Pamięci flash 43nm będą początkowo wytwarzane w nowych, otwartych niedawno przez firmy SanDisk i Toshiba zakładach Fab 4, przystosowanych do produkcji z 300-milimetrowych wafli krzemowych. Plany zakładają, że w drugiej połowie roku także zakłady Fab 3 przejdą na proces produkcyjny 43nm.
Ponadto przewiduje się, że pamięci NAND flash z generacji 43nm, w połączeniu z nowatorskimi rozwiązaniami SanDisk w dziedzinie systemów oraz sterowników, sprawią, że nowe technologie, np. napędy SSD (Solid State Drives) oraz zarządzane pamięci NAND (np. iNAND), przyczynią się do rozwoju mechanizmów składowania na nośnikach flash na szybko rozwijającym się rynku mobilnym. Tym samym wzmocnią przywództwo firmy SanDisk na rynku alternatywnych, wydajnych linii produktowych.
