Najnowszy 24 nm proces technologiczny zostanie wprowadzony zarówno do produkcji kości pamięci MLC NAND (mogących pomieścić 2 bity informacji w jednej komórce), jak również TLC NAND (mogących pomieścić 3 bity informacji w jednej komórce). Pojemność kości pamięci MLC NAND w nowej technologii wynosi 64 Gb (8 GB), natomiast TLC NAND 32 Gb (4 GB). Pamięci wyprodukowane w najnowszym procesie technologicznym zgodne są także z technologią Toggle DDR, która zapewnia bardzo dużą wydajność.
Jak wiadomo, zapotrzebowanie na pamięci Flash o większej gęstości zapisu rośnie, a to wymusza stosowanie mniejszych procesów technologicznych, ale i zwiększanie mocy przerobowych. W tym celu Toshiba rozpoczęła budowę nowej linii produkcyjnej pamięci NAND Flash (Fab 5) w prefekturze Mie w Japonii, która ma się zakończyć w drugim kwartale 2011 roku.
Warto wspomnieć, że Samsung Electronics (bliski współpracownik Toshiby w dziedzinie technologii pamięci NAND) wprowadził w tym roku 20 nm proces produkcji pamięci MLC NAND. Jedna kość Samsunga ma pojemność 32 Gb (4 GB), a w 2011 roku mają zaprezentowane być kolejne bardziej pojemne układy MLC NAND. W tym samym procesie produkcję pamięci rozpoczął także Hynix. Do tej grupy należy dołączyć także tandem Intel i Micron, który wdrożył niedawno produkcję pamięci TLC NAND w procesie 25 nm - pojedyncze moduły mają pojemność 64 Gb (8 GB).
Źródło: digitimes.com, techpowerup.com
