Toshiba i SanDisk zrobią 19 nm pamięci Flash

Ostatnio coraz więcej słychać o róznorodnych aliansach, które mają na celu wdrożenie nowoczesnych technologii. Tym razem mowa o Toshibie i SanDisku, które wprowadzają 19 nm proces produkcji pamięci NAND Flash.

W elektronice stale obserwujemy wzrost stopnia zaawansowania oraz postępującą miniaturyzację, systematycznie słyszymy o rozpoczęciu produkcji chipów w coraz to mniejszym procesie. Jeszcze słychać echa braw dla spółki joint venture pomiędzy Intel i Micron Technology za ogłoszenie w zeszłym tygodniu 20 nm procesu produkcyjnego pamięci NAND Flash. Na scenie pojawiły się już Toshiba oraz SanDisk z informacją o planach wdrożenia do masowej produkcji w drugiej połowie bieżącego roku 19 nm procesu produkcyjnego. Produkcja pierwszych układów planowana jest już na koniec kwietnia.

Będą to 64gigabitowe (8 GB) chipy pamięci flash typu MLC (2 bity na komórkę), a ich masowa produkcja jest zaplanowana na drugą połowę tego roku. W dalszej kolejności SanDisk planuje rozpoczęcie wytwarzania układów wykorzystujących 3 bity na komórkę, a co za tym idzie pojemniejszych. 

Toshiba zapowiada produkcję 128 GB modułów pamięci dla urządzeń mobilnych - smartfonów i tabletów - poprzez połączenie 16 chipów o pojemności 64 gigabitów. Przy okazji firma podkreśla, że to właśnie rynek tych produktów jest głównym bodźcem do konstruowania coraz nowocześniejszych pamięci NAND. Zmniejszanie rozmiarów służy obecnie zwiększeniu pojemności i wydajności, nie zmniejszeniu poboru prądu. Nowe chipy są wyposażone w opisywaną przez nas technologię Toggle DDR2.0 dla zwiększenia szybkości przepływu danych i korzystają z architektury All-Bit-Line.

Źródło: TechSpot

Wybrane dla Ciebie
MOŻE JESZCZE JEDEN ARTYKUŁ? ZOBACZ CO POLECAMY