Tranzystor 3D - tajemnica procesorów Intel Ivy Bridge

Wykonane w 22 nm procesie technologicznym procesory IvyBridge jako pierwsze na świecie będą korzystały z tranzystorów 3D Tri-Gate. Intel właśnie zaprezentował pierwsze prototypowe urządzenia wykorzystujące nową architekturę.

Karol Żebruń

Najbliższe miesiące będą z pewnością zdominowane przez nadchodzącą premierę procesorów AMD z rodziny Llano i Bulldozer. Jednak Intel również nie daje zapomnieć o sobie i odkrywa tajemnice, które mają zapewnić procesorom Ivy Bridge (następca Sandy Bridge) niekwestionowaną przewagę nad konkurencją.

U podstaw sukcesu architektury procesorów IvyBridge mają stać pierwsze na świecie tranzystory 3D Tri-gate. Nazwano je trój-bramkowymi, ze względu względu na zastosowanie bramki kontrolującej przepływ elektronów z trzech stron. Ich zastosowanie pozwoli nadal funkcjonować prawu Moore’a. Nowa technologia nie jest tak naprawdę nowa, gdyż prace nad nią prowadzone były już od 2002 roku.

Image

Tranzystor planarny (2D) wykonany w 32 nm i nowy Tri-gate (3D) wykonany w 22 nm

Dla przypomnienia - tranzystor jest podstawowym elementem elektronicznym, z których zbudowane są procesory. Jak dotąd wzrost wydajności i mniejszy pobór prądu otrzymywano przez wprowadzanie coraz niższych procesów produkcyjnych. Dzięki wynalazkowi Intela, przejście z dotychczasowych 32 nm na 22 nm, w którym wyprodukowane zostaną procesory Ivy Bridge, da nam znacznie większy zysk niż wynikałoby to z samego zmniejszenia procesu produkcyjnego. Jeśli nadal brzmi to niezrozumiale, polecamy obejrzenie poniższego wideo (film z polskimi napisami).

Tranzystory 3D Tri-gate wykonane w 22 nm procesie produkcyjnym są do 37% wydajniejsze pracując przy niskim napięciu (rzędu 0,7 V) w porównaniu z 32 nm układami wykonanymi w tradycyjnej technologii tranzystorów planarnych (2D). Wydajność nowych tranzystorów jest większa również w porównaniu z układami wykonanymi w tradycyjnej technologii, ale w 22 nm procesie. Przy wyższych napięciach różnica w wydajności spada, ale nadal zauważalna jest przewaga tranzystorów Tri-gate nad tradycyjnymi planarnymi tranzystorami.

Image

Porównanie tranzystora planarnego i tranzystora 3D. Struktura nowego tranzystora dzięki zastosowaniu żeber zapewnia lepszą kontrolę przepływu elektronów - wyższa wydajność i mniejsze straty. Dodatkowo umożliwia umieszczane ich bliżej siebie niż w przypadku układów planarnych, co pozwala zmniejszyć rozmiar procesora.

Image

Tranzystory 3D Tri-gate mogą mieć więcej niż jedno żebro, co dodatkowo zwiększa ich efektywność. Możliwe jest także zwiększenie wysokości żebra, a zarazem wzrost wydajności przy spadku zapotrzebowania na energię.

Dzięki możliwości zapewnienia takiej samej wydajności co układy 32 nm przy jednocześnie o 50% mniejszym zapotrzebowaniu na energię, Intel będzie mógł wkroczyć ze swoimi układami na arenę mobilną, gdzie wysoka wydajność przy jednocześnie dużej enegrooszczędności jest kluczową cechą. Na te informacje zareagowała giełda - wzrostem notowań Intela i osłabieniem wyników ARM, z którym Intel chce konkurować.

Procesory Ivy Bridge będą znacznie wydajniejsze niż wcześniej przewidywano, a korzyści z zastosowania tranzystorów 3D odbiją się na pracy zarówno rdzenia procesora, pamięci podręcznej, jak i układu GPU, w którym zapewne zwiększona zostanie liczba jednostek wykonawczych. 

Image

IvyBridge pojawi się w każdej branży przemysłu komputerowego - począwszy od serwerów, poprzez stacjonarne komputery, a skończywszy na notebookach, tabletach i przenośnej elektronice.

Wraz z prezentacją technologii, Intel pokazał demonstracyjne komputery wykorzystujące pierwsze próbki procesorów Ivy Bridge. Masowa produkcja ma rozpocząć się w drugiej połowie tego roku, a premiera przewidywana jest na pierwsze miesiące 2012 roku.

W kolejnych latach Intel planuje wdrożyć jeszcze niższe procesy. Będą to kolejno 14 nm w 2013 roku oraz 11 nm w 2015 roku, który, jak przewidujemy, będzie obfitował w wiele ciekawych premier nowych technologii.

Źródło: Intel

Wybrane dla Ciebie
NIE WYCHODŹ JESZCZE! MAMY COŚ SPECJALNIE DLA CIEBIE