Samsung produkuje 20 nm pamięci DDR 2.0

Jeden z czołowych dostawców pamięci – Samsung, zaczyna produkcję modułów w procesie technologicznym 20 nm. Ich zastosowanie będzie można znaleźć w urządzeniach mobilnych, choćby takich, jak następnej generacji smartfony, tablety lub dyski SSD.

Koreańska korporacja chwali się, że jest pierwszą, w której fabrykach z taśm produkcyjnych schodzą kości pamięci w tak małym procesie technologicznym. Wysoko wydajnościowe układy (Multi Level Cell, w skrócie MLC) początkowo mają mieć pojemność 64 GB.

MLC DDR 2.0 oferują przepustowość na poziomie 400 Mbps, czyli 10 razy więcej, niż w przypadku tradycyjnych modułów SDR. Jak podaje Samsung, jest to wartość trzy razy większa w stosunku do chipów DDR 1.0 o pojemności 32 GB z 2009 roku odznaczających się przepustowością 133 Mbps. Koreański producent podaje również, że najnowsze pamięci MLC 64 GB mają 50% wzrost wydajności produkcyjnej w odniesieniu do modułów MLC 32 GB DDR 1.0, które są wytwarzane w procesie 30 nm.

Coraz mniejszy proces technologiczny stawia ogromne wyzwania producentom. Znacznie łatwiej o pomyłkę, w razie której straty mogą być liczone nawet w miliardach dolarów. Z drugiej strony, niższy proces obniża koszta produkcji podzespołów, a w przypadku pamięci, procesorów i układów graficznych, pozwala stosować mniejsze napięcia zasilające, co pozwala obniżyć pobór energii.

Samsung DDR 2.0 64 GB - idealne do urządzeń mobilnych

(powyżej przykładowy wygląd pamięci DDR2 RAM)

Więcej o pamięciach:

• Pamięci Kingston HyperX podkręcają się same
• Kingston vs GoodRAM - O/C pamięci na AMD AM3
• Platforma AMD AM3 - wybieramy pamięci
   

Źródło: techeye