Pojemność: 500 GB | Szybkość odczytu: 540 MB/s | Szybkość zapisu: 520 MB/s
Samsung SSD 850 EVO 500 GB
6.1 na 10 pkt.
Ocena benchmark.pl
  • 4,7/5

Pojemność: 512 GB | Szybkość odczytu: 2600 MB/s | Szybkość zapisu: 1600 MB/s
Toshiba OCZ RD400 512 GB
7.2 na 10 pkt.
Ocena benchmark.pl
  • 4,3/5

Porównywarka

Ocena benchmark.pl

Oceny cząstkowe w poszczególnych kategoriach oraz ocena końcowa

Wydajność w CrystalDiskMark

Samsung SSD 850 EVO 500 GB
5.1
Toshiba OCZ RD400 512 GB
5.3
Crucial MX200 500 GB
3.7
SanDisk SSD Plus 480 GB
3.2

Wydajność w AS SSD Benchmark

Samsung SSD 850 EVO 500 GB
4.5
Toshiba OCZ RD400 512 GB
7.2
Crucial MX200 500 GB
4.0
SanDisk SSD Plus 480 GB
3.3

Wydajność w PCMark8

Samsung SSD 850 EVO 500 GB
n/d
Toshiba OCZ RD400 512 GB
n/d
Crucial MX200 500 GB
n/d
SanDisk SSD Plus 480 GB
n/d

SSD: testy rzeczywiste

Samsung SSD 850 EVO 500 GB
n/d
Toshiba OCZ RD400 512 GB
n/d
Crucial MX200 500 GB
n/d
SanDisk SSD Plus 480 GB
n/d

Samsung SSD 850 EVO 500 GBvsToshiba OCZ RD400 512 GB : Wynik ogólny

Cechy szczególne

Wydajność urządzenia według najważniejszych wskaźników

AS SSD – wynik ogólny

Samsung SSD 850 EVO 500 GB
1230
Toshiba OCZ RD400 512 GB
2531
Crucial MX200 500 GB
1112
SanDisk SSD Plus 480 GB
1055

Różnice

Zalety jednego urządzenia nad drugim

Samsung SSD 850 EVO 500 GB

Dlaczego warto wybrać:
Samsung SSD 850 EVO 500 GB

  • Pobór energii (aktywność)
    4 W vs 6 W
    33% mniej
Toshiba OCZ RD400 512 GB

Dlaczego warto wybrać:
Toshiba OCZ RD400 512 GB

  • Pojemność
    512 GB vs 500 GB
    2% więcej
  • Szybkość zapisu
    1600 MB/s vs 520 MB/s
    208% więcej
  • Szybkość odczytu
    2600 MB/s vs 540 MB/s
    381% więcej
  • Deklarowany IOPS – odczyt
    190000 vs 98000
    94% więcej
  • Deklarowany IOPS – zapis
    120000 vs 90000
    33% więcej

Specyfikacja

Szczegółowa lista cech i parametrów urządzenia

Samsung SSD 850 EVO 500 GB vs Toshiba OCZ RD400 512 GB

Deklarowana wydajność

Deklarowany IOPS – zapis
90000
Deklarowany IOPS – odczyt
98000
Szybkość odczytu
540 MB/s
Szybkość zapisu
520 MB/s

Deklarowana wydajność

Deklarowany IOPS – zapis
120000
Deklarowany IOPS – odczyt
190000
Szybkość odczytu
2600 MB/s
Szybkość zapisu
1600 MB/s

Informacje ogólne o SSD

Pojemność
500 GB
Interfejs dysku
SATA III
Format dysku
2.5

Informacje ogólne o SSD

Pojemność
512 GB
Interfejs dysku
PCI-Express 3.0 x4 / NVM-Express 1.1b
Format dysku
M.2 2280

Parametry SSD

Kości pamięci
Samsung 40 nm TLC 3D V-NAND
Pamięć podręczna dysku
512 MB
Typ pamięci podręcznej ssd
DDR3L
Kontroler
Samsung MGX

Parametry SSD

Kości pamięci
Toshiba 15 nm MLC NAND
Pamięć podręczna dysku
512 MB
Typ pamięci podręcznej ssd
Samsung LPDDR3-1600
Kontroler
Toshiba TC58NCP070GSB

Technologie i kultura SSD

Pobór energii (aktywność)
4 W
Inne cechy dysku
AES-256, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard, RAPID
Niezawodność MTBF
1500000 h

Technologie i kultura SSD

Pobór energii (aktywność)
6 W
Inne cechy dysku
TRIM, S.M.A.R.T., Idle Time Garbage Collection
Niezawodność MTBF
1500000 h