Zgodnie z zapowiedziami Samsung rozpoczął produkcję kości pamięci DDR3 o pojemności 2 Gb, czyli mówiąc bardziej zrozumiałym językiem 256 MB. Podczas produkcji wykorzystywany jest 30 nm proces technologiczny. Nowe pamięci będą nie tylko szybsze, ale i bardziej energooszczędne.
Przepustowość pamięci może wynieść 1,866 Gb/s przy napięciu 1,35 V lub nawet 2,133 Gb/s przy napięciu 1,5 V. W porównaniu z modułami DDR2 daje to 3,5 raza większą przepustowość, z modułami DDR3 wykonanymi w technologii 50 nm - nawet 1,6 raza.
Podczas pracy w systemach wykorzystujących procesory wielordzeniowe, 4 GB moduł pamięci, oparty na 30 nm kościach Samsung, może pracować nawet o 60% szybciej niż 2 moduły o pojemności 2 GB każdy, przy równoczesnym zmniejszeniu zapotrzebowania na energię o 65%. Oszczędność energii dla nowych pamięci, przy zastosowaniach serwerowych, w porównaniu do procesu technologicznego 50 nm, wyniesie 20%.
Samsung ma w planach także wyprodukowanie kości 4 Gb pod koniec tego roku oraz produkcję modułów o pojemności:
- 4 GB, 8 GB, 16 GB, 32 GB dla serwerów,
- 2 GB, 4 GB, 8 GB dla stacji roboczych oraz komputerów stacjonarnych,
- 2 GB, 4 GB, 8 GB dla notebooków.
W związku z przejściem na nowy proces technologiczny, koszt produkcji pamięci powinien się zmniejszyć, co miemy nadzieję odczujemy także my, klienci.
Źródło: Samsung Semiconductors
