40-nanometrowe Hynixy już wkrótce - nowe, wydajniejsze pamięci

Znany producent pamięci - Hynix - poinformował, że produkcja nowych 1Gb pamięci DDR3, wykonanych w procesie technologicznym 40nm, rozpocznie się w trzecim kwartale bieżącego roku. Modele oznaczone H5TQ1G83CFR będą charakteryzować się maksymalną prędkością 2133Mb/s - megabitów na sekundę.

Masowa produkcja pamięci DDR3 40nm firmy Hynix ma rozpocząć się w trzecim kwartale bieżącego roku. Nowe układy mają być wydajniejsze nawet do 50% oraz cechować się mniejszym zużyciem prądu w stosunku do pamięci wykonanych w procesie technologicznym 50 nm.

Nowe pamięci mają być zgodne ze specyfikacją pamięci DDR3 Intela i będą sprawdzone celem uzyskania stosownego certyfikatu. Zmniejszenie procesu technologicznego daje także nadzieję na tańsze pamięci i upowszechnienie nowego standardu, czekamy z niecierpliwością.

Źródło: softpedia.com