Pamięć RAM

Pamięć RAM DDR3 z czujnikami temperatury od Silicon Power

Sebastian Ogłoziński | Redaktor serwisu benchmark.pl
Autor: Sebastian Ogłoziński
5 komentarzy Dyskutuj z nami

(Taipei, Taiwan) Silicon Power - Światowej klasy producent pamięci DRAM, z dniem dzisiejszym wprowadza do swojej oferty moduły DRAM DDR3 wyposażone z czujnikami temperatury na zastosowanie w pracy z serwerami i stacjami roboczymi. Nowe pamięci pracują z taktowaniem 1066Mhz i 1333Mhz i są kompatybilne z Intel Nehalem – platforma Xeon 5500 z trzy-kanałowymi operacjami. Z budowanymi czujnikami temperatury, pamięci mogą skutecznie zapobiec awarii systemu, z maksymalizować stabilność i poprawić ogólną wydajność.

Dla operatorów serwerów i stacji roboczych, stabilność platformy jest jednym z najważniejszych czynników. Czujniki ciepła mogą być monitorowane przez system i zastosować pracę pamięci odpowiednio, aby zapobiec przegrzaniu lub przepracowaniu modułow. Poprzez skuteczne i równomiernie rozprowadzania ciepła, moduły Silicon Power zapewniają maksymalną wydajność i stabilność.

Silicon Power moduły DDR3 1333/1066 są zgodne ze standardem JEDEC, oraz posiadają zastosowany system Fly-by, poprawiający komunikację modułów z kontrolerem pamięci oraz technologię ODT (On-DIE Termination), która skutecznie zmiejsza sygnały refleksyjne. Pamięci są produkowane jako pojedyńcze kości, dwu- i trzy-kanałowe zestawy w pojemnościach 6GB (2GB*3) / 3GB (1GB *3) / 4GB (2GB*2) / 2GB (1GB X 2) / 2GB / 1GB.

Pamięci Silicon Power są w 100% testowane, zgodne z Europejskim standardem RoHS i posiadają wieczystą gwarancję.

Cechy produktu:

  • Serwer / Stacja Robocza DDR 3 DRAM moduły
  • W budowane sensory temperatury
  • Kompatybilne z Intel Nehalem- Xeon 5500 in pojedyńczym, podwójnym i potrójnym trybie
  • Zużywa 20-30% mniej mocy niż DDR2
  • Konfiguracja 128Mx8 z obudowaniem FBGA – efektywnie rozprowadzanie ciepła
  • Zastosowany system Fly-by, poprawiający komunikację modułów z kontrolerem pamięci
  • Technologia ODT (On-DIE Termination), która skutecznie zmiejsza sygnały refleksyjne

Specyfikacje produktu:

  • Typ Pamięci: DDR3 Unbufferred ECC Memory
  • PIN: 240Pin Long-DIMM
  • Częstotliwość: DDR3-1333 MHz / DDR3-1066 MHz (PC3-10600/ PC3-8500)
  • Typ modułu: Unbufferred ECC Memory
  • Pojemność: 6GB(2GB*3) / 3GB(1GB*3) / 4GB(2GB*2) / 2GB(1GB*2)/ 2GB / 1GB
  • Konfiguracja: 128Mx8 (bit)
  • Napięcie: 1.5 V
  • Latecja: 9 (1333MHz) / 7 (1066MHz)
  • Gwarancja: Wieczysta

źródło: informacja prasowa

Komentarze

5
Zaloguj się, aby skomentować
avatar
Dodaj
Komentowanie dostępne jest tylko dla zarejestrowanych użytkowników serwisu.
  • avatar
    Konto usunięte
    Coś mi się zdaję ,że taki newsik już był
  • avatar
    hiszpano
    Było wykasować...
  • avatar
    Konto usunięte
    takie tandetne ra,my
  • avatar
    Red23
    "Latecja" - podoba mi się to tłumaczenie :DDD.