Gigabyte prezentuje technologię Ultra Durable 3

Gigabyte prezentuje trzecią generację technologii Ultra Durable. Ma ona zapewnić stabilne i niezawodne działanie płyt głównych, niższą temperaturę pracy oraz lepsze możliwości podkręcania.

Technologia Ultra Durable 3 to przede wszystkim dwie miedziane warstwy (wcześniej jedna) pomiędzy warstawmi PCB, które według producenta potrafią obniżyć temperaturę całej płyty o blisko 50 stopni Celsjusza. Pierwszą płytą która będzie obsługiwać UD3 jest EP45-UD3P, a następne w kolejce czekają: GA-EP45-UD3P, GA-EP43-UD3, GA-EP43C-UD3, GA-EP45-UD3R, GA-EP43-UD3R, GA-EP45T-UD3P, GA-EP45-UD3, GA-EP45C-UD3R, GA-EP45T-UD3R, GA-EP43-UD3P, GA-EP45C-UD3, GA-EP45T-UD3LR.

Niektóre możliwości UD3:

• Tranzystory MOSFET o niskim RDS(on) - w odróżnieniu od zwykłych tranzystorów, charakteryzują się one niższą rezystancją oraz poborem mocy co prowadzi to do zmniejszenia czasu ładowania i rozładowywania, oraz zmniejszenia generowanego ciepła
• Cewki z rdzeniem ferrytowym - niższa strata energii niż w cewkach z rdzeniem metalicznym
• Japońskie kondensatory Solid - cechują się dłuższym czasem bezawaryjnej pracy (50 000 godzin)
• Obsługa pamięci DDR2 1366+ - użytkownik może zyskać wyższe częstotliwości, przy niskim napięciu zasilającym

Więcej na ten temat można się dowiedzieć (w j. angielskim) na stronie producenta