Pamięć RAM

Pamięć DDR3 z aktywnym chłodzeniem

Firma G.Skill International Enterprise przedstawiła nowe zestawy pamięci Dual Channel DDR3. Nowe kości GT1 są zbudowane z 6-warstwowych PCB i będą dostępne w dwóch wersjach: pierwsza z zegarem 1800 MHz i timingami 8-8-8-21, druga o 2000MHz i timingach wynoszących 9-9-9-24, przy napięciu 1,9V, obydwa zestawy będą dostępne o pojemności 2 x 2 GB. Co warto zauważyć producent wyposażył swoje moduły w rzadko spotykane aktywne chłodzenie Thermaltake RamOrb. Polega to na tym, że generowane przez pamięci ciepło przechwytywane jest przez umieszczone po obu stronach kości aluminiowe radiatory i transportowane za pomocą miedzianego ciepłowodu do drugiego, składającego się z szeregu miedzianych blaszek radiatora na którym zamontowano 50-milimetrowy wentylator (który został dodatkowo podświetlony niebieskimi diodami LED).

G.Skill GT1 wkrótce powinny się pojawić w sprzedaży detalicznej. Producent nie ujawnił do tej pory ceny, wiadomo jednak, że nowe dwukanałowe pamięci z aktywnym chłodzeniem będą objęte wieczystą gwarancją.

Komentarze

8
Zaloguj się, aby skomentować
avatar
Komentowanie dostępne jest tylko dla zarejestrowanych użytkowników serwisu.
  • avatar
    Konto usunięte
    0
    tripple channel moglyby byc
    • avatar
      Konto usunięte
      0
      no tak tripple channel i trzy kolejne wyjce w kompie. Im mniej wiatraków tym lepiej - po co je ładować tam gdzie nie jest to konieczne
      • avatar
        maker
        0
        Jakby nie patrzec wersje dla overclockerow niz fanow ciszy. Do pracy przy fabrycznych ustawieniach dobra cyrkulacja powietrza w obudowie wystarcza dla modulow pamieci.
        • avatar
          Konto usunięte
          0
          Co z tego ze G skill i wogóle jak 1,9v to za dużo i nehalem nie pójdzie na tym bo do 1.65v max przez zintegrowany kontroler pamięci i zwyczajnie MOBO nie wstanie z tymi ramami po obniżeniu na 1.65v narazie podobne jak nie te same timingi i częstotliwość mają kingstony seri hyperX i lecą na 1.5v i te bedą ok oraz nowa Platforma 1366 z nehalemem bedzie w stanie z nich wykrzesać coś wiecej niż obecne LGA775 co niewiele z DDR3 czeszą,poczekajmy aż producenci DDR3 obnżą napięcia i wtedy bedzie można sie podniecać wiatraczkami na kostkach
          • avatar
            biuro74
            0
            Ja mam takie dziwne pytanie: co niby maja dac kosci pamieci taktowane 1800 MHz ?
            Zalozmy, ze mamy procesor Intela na szynie 1333, a wiec taktowanie szyny wynosi 333 MHz. Podlaczamy do tejze szyny pamieci, niech to beda PC-6400, a wiec realne taktowanie szyny wynosi 400 MHz (choc rdzen pamieci pracuje na 200 MHz), jednakze ze wzgledu na double data rate efektywnie bedzie to odpowiadac 800 MHz. Przy takich pamieciach i tak jest pewien zapas mocy, gdyby szyne procesora podkrecic o 20%.
            Rozumiem, ze dla procesorow z szyna QPB 1600 nalezaloby miec pamieci, ktore po ewentualnym przetaktowaniu nie stanowilyby waskiego gardla dla systemu. OK, wezmy przykladowo 50%, bo srednio tyle sie popularnie podkreca procki (choc mowiac o QPB 1600 mialem na mysli C2DExtreme, takze 50% to i tak az za duzo), wiec trzebaby szukac pamieci z realnym taktowaniem 600 MHz, a wiec w terminologii przytetej w pamieciach DDR mialoby to byc 1200 MHz.
            Dla mnie wciaz to nieco dziwne ;) bo przeciez nie wszyscy przetaktowywuja swoje procesory, a jesli juz, to chyba nie kazdy wyciska ze swojego procesora wiecej, niz 50%. OK - sa przypadki, ale - jak sadze - skoro kreca oni CPU, to dlaczego nie mieliby krecic i pamieci ?

            Dlatego nie za bardzo widze sensu produkowania takich szybkich pamieci teraz. Para idzie w gwizdek, bo wiecej MHz nie ma sie jak wykorzystac, zamiast tego moznaby ucinac timingi. A wyzsze taktowanie oznacza nizsze timingi na pracy na nizszych czestotliwosciach. Czyzby wiec o to chodzilo ?
            • avatar
              Konto usunięte
              0
              Dla wyjaśnienia QPB (Quad Pumped Bus) oznacza poczwórnie ‘podbitą’ magistralę czyli 333x4 daje ~1333-1=1332MHz i to co kolega opisał to prawda.

              Mnie sie udało [email protected] 500x4(QPB)=2000MHz FSB/VTT=1.3v na szynie a 500x8(mnożnik procka)=4GHz na klocku(wspominane 50%)i RAM na 1000 czy 1100 nie dawał linowego przyrostu wydajnośći.

              Bez podbicia FSB z RAMem na 667/800 czy 1110 nie bedzie większej różnicy w cyferkach wiec jak Zygmunt H. mawiał"skoro nie widać różnicy to po co przepłacać"

              Prześciganie sie z prędkościami(MHz)to marketing,może z CORE i7 nehalem sytuacja bedzie inna i da przyrost.
              Gdzieś czytałem:)ze Z 1333Mhz do 18-20GB/s wiec niesamowity kop
              ale ze Nehalemki chodzą z RAMami nie przekraczającymi napięcia 1.65v!! wiec te powyższe RAMy co na obrazku można se w ramke oprawić i podziwiać

              Pozdrowerki
              PiFF
              • avatar
                Konto usunięte
                0

                @biuro74

                "A wyzsze taktowanie oznacza nizsze timingi na pracy na nizszych czestotliwosciach. Czyzby wiec o to chodzilo ?"

                Trudno sie nie zgodzić z kolegą i to jedyny zysk bez OC a kasy coraz mniej i mniej i mniej i znowu Zygmunt H. by powiedział"..." :)