Samsung chwali się nośnikami Z-SSD - konkurencja dla Intel 3D X-Point

Samsung nie odpuszcza w segmencie profesjonalnych nośników półprzewodnikowych i przygotowuje się do premiery konstrukcji opartych o technologię Z-SSD. Czym koreański gigant planuje konkurować z technologią Intel/Micron 3D X-Point?

W ubiegłym miesiącu, podczas konferencji Flash Memory Summit w Santa Clara, ujawniono pierwsze szczegóły odnośnie nośnika Samsung SZ985 – model ten bazuje na pamięci Z-NAND i wykorzystuje interfejs PCIe 3.0 x4, co przekłada się na transfery sięgające 3,2 GB/s oraz liczbę operacji wejścia/wyjścia dochodzącą do 750 000 IOPS (odczyt) lub 170 000 IOPS (zapis).

Głównym atutem nośnika jest jednak szybki czas reakcji – przy losowym odczycie jest to 12-20 μs, natomiast przy losowym zapisie 16 μs. Parametry te mają duże znaczenie w profesjonalnych zastosowaniach, gdzie prowadzone są operacje na potężnych zbiorach danych.

Producent chwali się również wysoką wytrzymałością pamięci (podobno jest on w stanie codziennie zapisywać 30-krotność swojej pojemności), a także efektywnością w odniesieniu do oferowanej wydajności.

Jak informuje serwis Business Korea, masowa produkcja nośników na bazie technologii Samsung Z-SSD ma ruszyć w przyszłym roku. Jak na razie planowana jest tylko wersja o pojemności 800 GB (taka też w wersji inżynieryjnej trafiła do pierwszych partnerów).

Źródło: Samsung, Business Korea