Pamięć flash

Intel zapowiada szybką premierę pamięci PRAM

przeczytasz w 0 min.

Firma Intel zamierza niedługo rozpocząć wysyłanie pierwszych parti próbnych nowej generacji pamięci, określanych jako zmiennofazowe (PRAM - phase-change random access memory). Zdaniem koncernu, pierwsze układy powinny trafić do producentów już w drugim kwartale tego roku. Moduły te będą produkowane we współpracy z STMicroelectronics.

Moduły PRAM są typami pamięci nieulotnej, oparte na nośniku krystalicznym. Dzięki swojej budowie, łączą szybkość chipów DRAM z możliwością przechowywania informacji, jak w przypadku pamięci flash. Właśnie dlatego uważane są często za bezpośrednich następców obydwu wymienionych rozwiązań.

W rozwiązaniu tym - nazywanym wymiennie PCM lub PRAM - wykorzystuje się zjawisko zmiany fazy punktów nośnika z krystalicznej na amorficzną (i odwrotnie), za pomocą podgrzewania impulsami elektrycznymi. Odczyt dokonywany jest przez pomiar rezystancji nośnika. Ciekawą cechą tych pamięci, jest możliwość nadpisywania informacji, bez potrzeby uprzedniego kasowania danych.

Intel zamierza początkowo skupić się ze swoim nowym produktem na rynku urządzeń mobilnych. Z czasem jednak powinny się pojawić również rozwiązania dla innych segmentów IT.

Komentarze

0
Zaloguj się, aby skomentować
avatar
Komentowanie dostępne jest tylko dla zarejestrowanych użytkowników serwisu.

    Nie dodano jeszcze komentarzy. Bądź pierwszy!