Dowiedzieliśmy się od przedstawicieli Samsunga, że ich inżynierowie pracują w pocie czoła nad nowymi typami pamięci DDR przeznaczonych do smartfonów, handheldów, tabletów, czyli mówiąc wprost - do urządzeń mobilnych. Będą to zmodyfikowane moduły LPDDR2, czyli Low Power Double Data Rate 2.
Po pierwsze, Samsung zapowiada aż ośmiokrotne zwiększenie przepustowości w porównaniu do obecnych rozwiązań oraz czterokrotne w stosunku do LPDDR2. Aktualnie przepustowość DDR stosowanych w smartfonach to 1,6 GB/s, natomiast LPDDR2 daje 3,2 GB/s. Dzięki zastosowaniu nowych modułów Samsunga wartość ta wzrośnie do 12,8 GB/s. Inżynierowie poinformowali nas także w jaki sposób udało im się osiągnąć tak znaczący wzrost przepustowości. Po prostu zwiększono szesnastokrotnie liczbę pinów, z 32 na 512.
Drugą ważną informacją odnośnie nowych modułów pamięci jest fakt, że pomimo tak dużego wzrostu przepustowości udało się obniżyć zużycie energii aż o 87% - w stosunku do aktualnie stosowanych rozwiązań. W chwili obecnej Samsung pracuje nad modułem wykonanym w procesie technologicznym 50 nm, o pojemności 128 MB. W planach jest stworzenie pamięci o pojemności 512 MB. Jednak głównym celem jest opracowanie 4 GB modułu wykonanego w 20 nm, na który przyjdzie nam jednak poczekać aż do 2013 roku.
Źródło: TCMagazine, EETimes
