Koreańska korporacja chwali się, że jest pierwszą, w której fabrykach z taśm produkcyjnych schodzą kości pamięci w tak małym procesie technologicznym. Wysoko wydajnościowe układy (Multi Level Cell, w skrócie MLC) początkowo mają mieć pojemność 64 GB.
MLCDDR 2.0 oferują przepustowość na poziomie 400 Mbps, czyli 10 razy więcej, niż w przypadku tradycyjnych modułów SDR. Jak podaje Samsung, jest to wartość trzy razy większa w stosunku do chipów DDR 1.0 o pojemności 32 GB z 2009 roku odznaczających się przepustowością 133 Mbps. Koreański producent podaje również, że najnowsze pamięci MLC 64 GB mają 50% wzrost wydajności produkcyjnej w odniesieniu do modułów MLC 32 GB DDR 1.0, które są wytwarzane w procesie 30 nm.
Coraz mniejszy proces technologiczny stawia ogromne wyzwania producentom. Znacznie łatwiej o pomyłkę, w razie której straty mogą być liczone nawet w miliardach dolarów. Z drugiej strony, niższy proces obniża koszta produkcji podzespołów, a w przypadku pamięci, procesorów i układów graficznych, pozwala stosowaćmniejsze napięcia zasilające, co pozwala obniżyć pobór energii.
Samsung DDR 2.0 64 GB - idealne do urządzeń mobilnych
(powyżej przykładowy wygląd pamięci DDR2 RAM)
Więcej o pamięciach:
Źródło: techeye
