To nie pierwszy raz, gdy Samsung wprowadza technologie pamięci NAND Flash, które są najnowocześniejsze w danym momencie. Przykładowo 7 listopada ubiegłego roku firma rozpoczęła produkcję 32 Gb kości pamięci TLC w 30 nm procesie technologicznym. Samsung spodziewa się, że rozpoczęcie produkcji 20 nm pamięci TLC NAND o pojemności 64 Gb przyczyni się do rozpowszechnienia technologii Toggle DDR i powstania jeszcze szybszych nosników wykorzystujących pamięci Flash.
Dostępność kości pamięci o pojemności 8 GB w jednym układzie z obsługą Toggle DDR spowoduje rozpowszechnienie się tej technologii w wydajnych pamięciach flash USB, kartach SD, telefonach komórkowych oraz dyskach SSD. Nowe pamięci zastąpią obecny już od prawie roku starszy typ pamięci TLC NAND. Warto zaznaczyć, że 64 Gb kości TLC wykonane w 20 nm są o 60% wydajniejsze od 32 Gb pamięci wykonanych w 30 nm procesie technologicznym. Oferują one także większą wydajność przy zastosowaniu technologii Toggle DDR w porównaniu do Toggle SDR wykonanych na 30 nm kościach NAND.
Źródło: techpowerup.com, samsung.com
