Intel ujawnia informacje o procesorach Broadwell
Procesory

Intel ujawnia informacje o procesorach Broadwell

przeczytasz w 2 min.

Procesory Intel Broadwell wprowadzą 14 nm proces produkcyjny i nowe rozwiązania, co przełoży się na wzrost wydajności i zmniejszenie poboru mocy.

W ubiegły poniedziałek odbyła się konferencja Advancing Moore’s Law in 2014, na której Intel ujawnił szczegóły odnośnie swoich dwóch najważniejszych nowości nadchodzących miesięcy – 14-nanometrowego procesu technologicznego, a także nowej generacji procesorów o nazwie kodowej Broadwell. Obydwa aspekty są ze sobą powiązane i razem powinny wprowadzić niemałą rewolucję na rynku komputerów i urządzeń mobilnych. Czego zatem powinniśmy się spodziewać?

Tick-Tock model

Intel ma strategię, która zakłada, że nowe generacje procesorów będą pojawiać się w krokach TICK-TOCK, gdzie TICK oznacza przejście na niższy proces produkcyjny, a TOCK wprowadzenie nowej mikroarchitektury. Tak się składa, że najnowsze modele Haswell (i Haswell Refresh) wprowadziły nową mikroarchitekturę, a więc nadchodząca generacja Broadwell będzie się wyróżniać niższą technologią wykonania – w tym przypadku 14-nanometrową.

Prezentacja tabletów z procesorami Broadwell na IDF14

Nowa technologia jest już dopracowana i tylko czeka na wdrożenie do masowej produkcji – obecnie są do niej przystosowane fabryki D1x w Oregonie i FAB 42 w Arizonie, a w przyszłym roku dołączy do nich jeszcze FAB 24 w Irlandii.

Producent twierdzi, że technologia została dostosowana do wszystkich segmentów rynku – począwszy od słabszych układów dla urządzeń mobilnych, a skończywszy na topowych procesorach dla serwerów.

Niższy proces produkcyjny oznacza więcej problemów z opakowaniem tranzystorów. W związku z tym zdecydowano się zastosować 2. generację tranzystorów Tri-gate (FinFET) – zmiany polegają na zmniejszeniu ilości, przy jednoczesnym zmniejszeniu odległości i wydłużeniu poszczególnych krzemowych żeber tranzystorów.

Poniżej prezentacja, która bardziej szczegółowo omawia 2. Generację tranzystorów Tri-gate.

Dzięki takiemu rozwiązaniu poprawie ulegnie opakowanie tranzystorów na danej powierzchni – przykładowo, komórka pamięci SRAM wykonana w 22 nm (1. generacja Tri-gate) ma powierzchnię 0,108 µm², natomiast w 14 nm (2. generacja Tri-gate) już tylko 0,0588 µm².

Przejście na niższy proces technologiczny oznacza również niższe koszty wyprodukowania tranzystora. Nie wpływa to aż tak na cenę samego procesora, bo ten z generacji na generację zawiera ich coraz więcej.

Intel chwali się, że ma przewagę nad konkurencyjnymi rozwiązaniami IBM i TSMC. Podczas, gdy w 22-nanometrowej technologii wprowadził 1. generację tranzystorów FinFET, konkurencja jeszcze bazuje na tranzystorach planarnych. Teraz, gdy wprowadza 14-nanometrowy proces z 2. generacją FinFET, inne firmy dopiero planują wdrożenie 1. generacji takiego rozwiązania.

Co oznacza niższy proces produkcyjny dla zwykłego użytkownika? Przede wszystkim wyższą efektywność energetyczną procesorów – pobór mocy się zmniejszy, a oferowana wydajność zwiększy. Każde przejście na niszą technologię przynosi mniej więcej 1,6-krotny wzrost wydajności w przeliczeniu na wat pobieranej mocy.

W przypadku modeli Broadwell-Y ma być jeszcze lepiej, bo wzrost efektywności energetycznej będzie ponad 2-krotny.