Intel planuje dyski SSD o pojemności ponad 10 TB

Pierwszy dysk półprzewodnikowy Intela miał pojemność 12 MB. Teraz producent ma w planach nośniki mogące pomieścić ponad 10 TB danych.

Głównym mankamentem dysków SSD jest stosunkowo mała pojemność, choć najwięksi gracze na rynku półprzewodników już pracują nad rozwiązaniem tego problemu. Firmy Intel i Micron planują wdrożyć produkcję kości 3D NAND – według założeń, pozwolą one na konstruowanie tańszych dysków SSD, których pojemność ma przekroczyć 10 TB.

Rob Crooke, wiceprezes Non-Volatile Memory Solutions Group w firmie Intel, podczas spotkania z inwestorami, zapowiedział rozwijanie technologii 3D NAND. Obecnie pozwala ona na konstruowanie pamięci MLC NAND składających się z 32 warstw o pojemności 256 Gb, co przekłada się pojemność 1 TB w jednej kości i ponad 10 TB w całym dysku SSD. W przypadku pamięci TLC NAND jedna warstwa może pomieścić już 384 Gb danych, a więc pojemność kości i całego dysku SSD będzie już proporcjonalnie większa. Na rozpoczęcie masowej produkcji takich kości przyjdzie nam poczekać do 2016 roku.

Podczas spotkania przedstawiono również interesujące prognozy – wynika z nich, że z biegiem czasu różnica w wydajności dysków HDD i SSD będzie się coraz bardziej zwiększać, a mniej więcej 2018 roku nośniki półprzewodnikowe obejmą 50% rynku. Na uwagę zasługuje również informacja, że to właśnie pamięci NAND dla dysków SSD generują prawie cały dochód jeżeli chodzi o produkcję pamięci NAND w firmie Intel.

Oczywiście nie tylko Intel i Micron pracują nad kośćmi NAND o zwiększonej pojemności. Jakiś czas temu firmy Samsung, SanDisk i Toshiba zawiązały konsorcjum, które ma pracować nad udoskonalaniem technologii 3D V-NAND. W tym przypadku rozwiązanie jest już wykorzystywane w produkcji na masową skalę - po raz pierwszy zostało zastosowane w nośnikach Samsung SSD 850 PRO, a niebawem dołączą do nich jeszcze modele SSD 850 EVO.

Źródło: Intel, MyCE