Pamięć flash

Technologia 10 nanometrów do 2016 roku?

Jakub  | Redaktor serwisu benchmark.pl
Autor: Jakub
31 komentarzy Dyskutuj z nami

Firmy Intel, Samsung oraz Toshiba zawarły porozumienie, którego celem jest opracowanie technologii umożliwiających stworzenie układów scalonych w wymiarze nawet 10 nanometrów. Według założeń ma to nastąpić w ciągu sześciu lat.

Jak donosi Reuters, dwie największe firmy produkujące pamięci flash typu NAND, czyli Samsung i Toshiba, wraz z Intelem, największym producentem procesorów, planują stworzyć konsorcjum w sprawie rozwoju zmniejszania procesu produkcji układów scalonych. Poza wspomnianymi trzema spółkami w skład miałoby wejść co najmniej dziesięć innych przedsiębiorstw związanych z rynkiem półprzewodników. 

  Warto przeczytać:
 

W całą tą akcje w bardzo dużym stopniu zaangażowało się Ministerstwo Gospodarki, Handlu i Przemysłu Japonii. Pieniądze przeznaczone z tego ministerstwa będą stanowić połowę pierwszego budżetu zapowiadanych prac badawczo-rozwojowych, który wyniesie ponad 120 milionów dolarów. Twórcy pomysłu stworzenia konsorcjum sądzą, że do 2016 roku, będą w stanie wyprodukować układy scalone w wymiarze około 10 nanometrów. Toshiba wraz z Samsungiem wykorzysta to osiągnięcie do zwiększenia pojemności pamięci flash, zaś Intel do produkcji wydajniejszych i bardziej energooszczędnych procesorów.
 


Jednak mimo tych wysiłków szacuje się, że prawo Moore'a ściśle związane ze zmniejszaniem procesu technologicznego, które mówi, że liczba tranzystorów w układzie scalonym podwaja się średnio co dwa lata, będzie obowiązywać do co najwyżej 2025 roku. Dlatego też cały świat elektroniki na gwałt poszukuje nowej konstrukcji, zapewniającej wzrost wydajności i możliwości rozwoju przez kolejne dziesiątki lat. Warto przytoczyć chociażby memrystory rozwijane przez Hewlett-Packard - budulec układów ReRAM, czy tranzystory bezpołączeniowe. Przykłady można mnożyć bez końca, ale co odniesie sukces, to trudno ocenić.
 

Źródło: Reuters

Polecamy artykuły:    
Test: jeszcze szybsze Core i3 i Core i5
Testy monitorów LCD: 9 modeli Full HD
Niedrogie a wydajne: 5 x GTS450

 

Komentarze

31
Zaloguj się, aby skomentować
avatar
Dodaj
Komentowanie dostępne jest tylko dla zarejestrowanych użytkowników serwisu.
  • avatar
    Szymon331
    News jest trochę różny od tego czym nas raczy tytuł.

    Nic konkretnego nie wiemy. Czy będzie 10nm w 2016 czy nie tak naprawdę nie wiadomo. Na chwilę obecną i tak nie ma technicznej możliwości wytwarzać takie układy. Gadać każdy potrafi.

    Chodzi raczej o zawarte porozumienie między firmami. A to już dobra wróżba. W kupie zawsze lepiej niż podgryzać się nawzajem. Mam nadzieję że postęp będzie szybki.
  • avatar
    REC
    Bez takich pomysłów nic by dzisiaj nie było. No może nie w takim stopniu
  • avatar
    Warmonger
    Dokument z testów tranzystora 8nm z 2008 roku.
    http://www.ime.a-star.edu.sg/img/pdf/Publications/NanoEP/PUB08-062-NEP-013.pdf

    To, że nie można budować jeszcze takich procesorów, to zupełnie inna sprawa ;)
  • avatar
    hideo
    zawsze coś wymyślą więc można być spokojnemu, o ile wcześniej nie wybuchnie jakaś 3 wojna światowa jak z Fallouta
  • avatar
    A już myślałem, że ~22 nm to szczyt
  • avatar
    Konto usunięte
    A mnie awsze gryzło pytanie jaka będzie granica zmniejszania procesu technologicznego?? Poniżej której nie da się zejść?? Zawsze mnie to zastanawiało i dużo czasu spedzilem szukając konkretnej odpowiedzi na to pytanie i do tej pory nie znalazłem. Pytanie jaka to granica i co będzie dalej gdy tej granicy przekroczyć się nie da????

    Czy ktoś jest w stanie udzielić jasną i konkretną odpowiedź na to pytanie??
  • avatar
    Konto usunięte
    Czyli do 16 nm Intel sobie sam poradzi a dalej nawet taki gigant będzie potrzebował pomocy ;]

    Pytanie tylko czy użyją grafenu żeby zejść do 10 nm czy jeszcze nie...
  • avatar
    Konto usunięte
    Oby im się udało :)
  • avatar
    robert666
    Technologia 10 nanometrów i programowalne procesory to Terminator.