16 GB pamięci DDR3 już wkrótce

Koreański koncern Samsung zapowiedział, że rozpoczął właśnie testy pierwszych próbek dwugigabitowych chipów pamięci DDR3. To spory krok naprzód, bo dotychczas najwyższa gęstość danych chipów DDR3 wynosiła 1 gigabit – Samsungowi udało się podwoić tę wielkość. Nowe kości zostały wykonane w wymiarze technologicznym 50 nm. Będą umieszczane na płytkach PCB modułów pamięci DIMM oraz SO-DIMM DDR3.

Nowe kości pozwolą na budowanie 16 GB desktopowych modułów pamięci DIMM. Jako, że na tak duże pojemności nie są jeszcze przygotowane współczesne płyty główne i chipsety, najprawdopodobniej na początek będą wykorzystywane do produkcji mniejszych, 8 GB modułów DIMM oraz 4 GB notebookowych SO-DIMM.

Samsung twierdzi, że jego 2 gigabitowe chipy DDR3 zużywają nawet 40% energii mniej od dotychczasowych. To dobra wiadomość, bo gorące moduły pamięci DDR3 nie są dziś niczym niezwykłym, a poza tym mniejsze zużycie energii powinno przełożyć się na możliwość uzyskania wyższych częstotliwości taktowania. Obniżce powinny także ulec ceny – nowy proces technologiczny 50 nm pozwala Samsungowi na uzyskanie 60% więcej chipów z jednego wafla. Sprawia to, że ich produkcja będzie wyraźnie tańsza.

Kiedy nowe, pojemniejsze, tańsze i chłodniejsze pamięci pojawią się na rynku? Zanim Samsung wykona odpowiednie testy swoich chipów i przygotuje ich finalne wersje, minie jeszcze trochę czasu. Nowych DDR3 można się więc spodziewać najwcześniej w drugim kwartale 2009 roku.