Podzespoły

TSMC zapowiada wdrożenie 5 nm litografii w 2020 roku

Paweł Maziarz | Redaktor serwisu benchmark.pl
13 komentarzy Dyskutuj z nami

Badania nad wdrożeniem technologii 5 nm EUV rozpoczęły się już w ubiegłym roku, ale jej wdrożenie ma nastąpić dopiero w 2020 roku.

TSMC Fab - wnętrze fabryki układów scalonych

Przejście na niższą litografię pozwala uzyskać niższy pobór mocy i wyższą wydajność, ale jej wdrożenie wymaga wnikliwych badań i często jest okupione problemami. Koncern TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) nie ma jednak zamiaru spoczywać na laurach i już zapowiedział wdrożenie technologii 5 nm.

Obecnie koncern jest przygotowany do produkcji układów scalonych w technologii 16 nm FinFET, aczkolwiek jeszcze w tym kwartale planuje uruchomić linię zdolną do produkcji układów w 10 nm. Również w tym roku powinniśmy się spodziewać wdrożenia technologii 16 nm FFC (FinFET Compact).

W 2018 roku producent planuje rozpocząć produkcję układów w 7-nanometrowej litografii, natomiast na dwa lata później chce rozpocząć produkcję w 5-nanometrowej. Warto jednak podkreślić, że badania nad wdrożeniem 5-nanometrowej litografii prowadzone są już od ubiegłego roku i zostanie tutaj zastosowana technologia Extreme Ultraviolet (EUV).

Dr. Mark Liu zapowiedział również, że jego firma chciałaby objąć pozycji lidera rynku i w tym roku przejąć 70% światowej produkcji układów w technologii 14/16 nm (co ma stanowić wzrost o 40% względem udziałów z 2015 roku). Plany są ambitne, ale Intel, GlobalFoundries i Samsung zapewne nie oddadzą tak łatwo swoich udziałów.

Źródło: DigiTimes

Komentarze

13
Zaloguj się, aby skomentować
avatar
Dodaj
Komentowanie dostępne jest tylko dla zarejestrowanych użytkowników serwisu.
  • avatar
    Konto usunięte
    Walka trwa, po długim zastoju w 28nm wreszcie znowu nanometry zaczną spadać.
    1
  • avatar
    Konto usunięte
    dla mnie ciekawszą rzeczą byłoby robienie układów piętrowych, bo obecne są tak naprawdę płaskie. jak już to pojedyncze elementy się pionizuje, głównie bramkę.

    teraz samsung zaczyna robić ram HBM, ale to się robi nadal z płaskich plasterków sklejonych jeden z drugim. o wiele lepiej by było gdyby została opanowana litografia pozwalająca na bezpośrednie robienie takiej przestrzennej konstrukcji, z wykorzystaniem jednego podłoża.
    Póki co coś takiego udało się intelowi w pamięci Optane, na razie to są dwie warstwy komórek pamięci. ale technologia jest na tyle otwarta że ilość warstw można bez problemu zwiększyć. tyle że to są memrystory, strukturalnie są to bardzo proste elementy. czy uda się to powtórzyć z tranzystorami, nie wiadomo.
    1
  • avatar
    irondick
    A co jest w atomie... będzie mniejsze :-)
    1
  • avatar
    Blashix
    Czekamy na 0.00001 nm :)
    -1
  • avatar
    Konto usunięte
    Do ilu nm fizycznie można zejść z tym procesem ?