• benchmark.pl
  • Mobile
  • Snapdragon 835 w technologii FinFET 10 nm - dzięki współpracy Qualcomm i Samsung
Mobile

Snapdragon 835 w technologii FinFET 10 nm - dzięki współpracy Qualcomm i Samsung

przeczytasz w 1 min.

Nowy układ zapowiada się świetnie. Qualcomm i Samsung liczą na owocną współpracę.

Trudno wyobrazić sobie rynek mobilny bez firm SamsungQualcomm. Nie obca jest im współpraca, która trwa już od wielu lat i w najbliższej przyszłości nic się w tej kwestii nie zmieni.

Oficjalnie poinformowano, iż współpraca została przedłużona, w czym spora zasługa procesora Qualcomm Snapdragon 835. Kolejny z topowych układów dla smartfonów i tabletów przygotowany będzie z zastosowaniem 10 nanometrowej technologii FinFET, którą wykorzystuje właśnie Samsung.

Koreańczycy już w październiku pochwalili się, że jako pierwsi rozpoczną produkcję w tej technologii na masową skalę. Umożliwia ona między innymi wzrost wydajności o 27% czy obniżenie zapotrzebowania na energię o 40%. Różnice względem poprzedniej technologii są zatem znaczące. Dodatkowo dzięki zastosowaniu FinFET 10 nm w procesorze Snapdragon 835 zmniejszy się też powierzchnia chipa, dając producentom smartfonów możliwość zastosowania na przykład większych baterii.

„To wspaniale, że możemy nadal współpracować z firmą Samsung nad rozwojem czołowych produktów dla branży mobilnej. Zastosowanie nowej litografii 10 nm pozwoli zwiększyć sprawność energetyczną i wydajność naszego procesora klasy premium Snapdragon 835, jednocześnie umożliwiając nam na wprowadzenie pewnych nowych możliwości, które w przyszłości przełożą się na większą satysfakcję użytkowników urządzeń mobilnych.” – Keith Kressin, starszy wiceprezes ds. zarządzania produktami w Qualcomm Technologies Inc.

„Cieszymy się, że możemy ściśle współpracować z Qualcomm Technologies przy produkcji procesora Snapdragon 835 w naszej nowej technologii FinFET 10 nm. Ta współpraca to ważny etap rozwoju działalności firmy Samsung, ponieważ świadczy o zaufaniu do naszej wiodącej technologii wytwarzania chipów.” – Jong Shik Yoon, Executive Vice President of Foundry Business Team w Samsung Electronics

Warto dodać, że Snapdragon 835 jest już w produkcji. Do pierwszych urządzeń mobilnych trafić powinien w pierwszej połowie 2017 roku. Będzie bezpośrednim następcą układu Snapdragon 820/821.

Źródło: Samsung, YoSoyAndroid

Komentarze

19
Zaloguj się, aby skomentować
avatar
Komentowanie dostępne jest tylko dla zarejestrowanych użytkowników serwisu.
  • avatar
    Konto usunięte
    2
    "Dodatkowo dzięki zastosowaniu FinFET 10 nm w procesorze Snapdragon 835 zmniejszy się też powierzchnia chipa, dając producentom smartfonów możliwość zastosowania na przykład większych baterii."

    Bzdura!! to Jaki ten chip był gruby 1cm...? To są wartości dziesiątek milimetrów o ile nie 1mm a przecież wielkość kwadratowa procka nie ogranicza możliwości lokowania baterii.

    A po za tym, to że zmniejszył się proces technologiczny, nie oznacza że powierzchnia krzemu będzie mniejsza. Skoro tranzystory będą mniejsze mrze być ich więcej na tej samej powierzchni. Ta dodatkowa moc z powietrza się nie bierze.
    • avatar
      KMyL13
      1
      "Umożliwia ona między innymi wzrost wydajności o 27% czy obniżenie zapotrzebowania na energię o 40%" W porównaniu do Snapdragona 820, który jest w 14 nm? Jeśli tak, to redukcja poboru energii MI się podoba i to bardzo.
      Tyle, że to będzie ten nowy Snap i.?. I chyba tyle - Qualcomm chyba wszystkie średniopółkowce ma w 28 nm (a może się mylę), natomiast wydał bardzo imponujący IMO procek - Snapdragona 625, który ma 8 rdzeni do 2 GHz chyba (w sumie to ciekaw jestem, czy na tych smartfonach choć są momenty, że pracuje 6-7 rdzeni. Może ten "podział ról" jest lepszy niż w przypadku pecetów, nie wiem, może ktoś kto zna sprawę lepiej niech się podzieli wiedzą), choć mi pewnie wystarczyłyby 4, ale już są w 14 nm. I taki procek jest w budżetowym Xiaomi Redmi 4 Pro, na którego mam ochotę.

      Jednak mnie osobiście bardziej interesowałoby kiedy nawet te budżetowce porzucą stare cortexy a-53 na rzecz chociażby a-72. Pal licho ten proces 10 nm, który prędko się pewno nie rozpowszechni - nowa, energooszczędniejsza i wydajniejsza architektura już jest, tylko na razie to cortexy a-53 pełnią role tych energooszczędnych.
      • avatar
        SuperSzarp
        1
        A mnie ciekawi jak z chłodzeniem :D im mnijszy chip tym trudniej go słchodzić tak słyszałem :D Mój snap 808 potrafi sie konkretnie nagrzać :D xD tylko nie wiem czy to bateria sie grzeje czy procek :D :D jak ktoś wie to skomentuje :D
        • avatar
          Dudi4Fr
          0
          No to wiemy co będzie we wszystkich flagowcach z 2017 + chińczykach pokroju OnePlus 4 + Mi 6 itd.

          "Umożliwia ona między innymi wzrost wydajności o 27% czy obniżenie zapotrzebowania na energię o 40%"

          Tylko względem czego? 820/821?
          • avatar
            sebos80
            -1
            Czemu 835 anie 830, podejrzane ;] Illuminati !
            • avatar
              Reyqer
              0
              Niedawno ogłosili nowe A73. Jak zestawicie je z A72 to widać jak na tacy.
              SD 820/821 - pochodne A72
              SD 835 - pochodne A73

              Witaj!

              Niedługo wyłaczymy stare logowanie.
              Logowanie będzie możliwe tylko przez 1Login.

              Połącz konto już teraz.

              Zaloguj przez 1Login